低功耗低频高精度RC振荡器设计精选.docxVIP

第三届“九同方”杯大学生集成电路设计大赛作品报告暨华中科技大学暑期生产实习报告比赛题目：A LowPower48MHz Oscillator usingXMC55lp Process（本科生组）队名：姓 名: 学 号：专 业：1.题目要求Foundry: XMCProcess: 55lpSupply Voltage: 1.08~1.32VDie Temperature: -20~85COutput swing: rail to railOutput frequency: 48MHz; typical,+-2% with trimming across process; (15%)+-6% across supply voltage and temperature (30%)Duty cycle: 50%+-10% (15%)Operation current: typical 120uA (20%)Disable current: typical 0.5uA (10%)Startup time: typical 5us (10%)2.设计思路2.1 引言振荡器广泛应用于医学、航空、通讯和电子等领域。尤其在集成锁相环中振荡器是必不可少的电路集成压控振荡器有几个重要的性能参数如低功耗、低相位噪声和小的版图面积。本文所提到的压控振荡器都是指集成压控振荡器对于振荡频率在48MHZ的振荡器。对于振荡频率在1GHZ以下的振荡器, LC型压控振荡器版图面积过大、品质因子较低,并且便于采用标准工型压控振荡器版图面积过大、品质因子较低。而环形压控振荡器能够提供相对较高的相位噪声、宽泛的震荡频率范围、较小的版图面积和较低的功耗。本文采用“武汉新芯标准55nm工艺”使用环形振荡器电路实现功能。2.2各个原件的参数特性单仿考虑的使用“武汉新芯标准55nm工艺”，因此需要首先对相应管子进行单仿，经过单仿发现，在该工艺条件下，个器件的特性与此前接触的工艺下，并没有太大变化，可以仍然按照以前的方式进行使用，即不需要在电路设计中进行特别设计。下图为NMOS的I-V特性曲线图1所示：图12.3电路设计为了实现低功耗，低驱动电压，高工作频率，高稳定性的要求。本文提出了一种解决环形振荡器温度漂移的高阶补偿方案，利用MOS 管的I-V 特性和双极型晶体管正向电压的负温度系数，产生补偿电压进而控制环形振荡器的振荡频率。同时利用线性稳压器对电压的波动进行抑制，使其具有良好的电压特性。因此本电路在设计环形振荡器时间将利用到环形振荡器模块，电压补偿模块，温度补偿模块，工艺补偿模块，延时模块，从而实现电路的高效，高稳定性工作。具体的电路工作流程如图1所示：图2 振荡器体系结构该体系结构的工作原理分析如下:如图1电路所示，线性稳压器线性稳压器将片外的电源电压VBAT 转换成内核电压VDD，提供给电压补偿电路，温度补偿电路，工艺补偿电路，振荡器主体电路和差分转单端电路，此外，补偿电路中的基准电压VREF由线性稳压器提供。环形振荡器是产生波形的主体电路，由差分延时单元组成，其输出通过一个差分转单端的电路，将差分信号转换成适用于标准方波信号输出，其占空比为50%。补偿电路根据环境的变化，产生适当的VCTRL 电压，通过偏置电路来影响环形振荡器的振荡频率，使其保持在48MHz不变。2.3.1 环形振荡器模块设计在现代电子电路系统中,石英晶体振荡器具有高的品质因素,能精确的定义谐振频率,提供系统标准参考源,因而扮演了极其重要的角色。晶体振荡器常常作为系统时钟,低功耗、高稳定性成为设计时要考虑的重点因素。为了保证可靠的起振，振荡器在开始起振时的环路增益T =AF 要大于 1，一般情况下取T =AF 的值为 5 到 10，于是依靠振荡器在接通电源的瞬间产生的电流突变以及电路内各种微弱的噪声通过振荡环路内的选频回路选频，循环的送入放大器放大和反馈而保证了幅度的不断增长，但是随后又必须限制其增长，使振荡器达到平衡T =AF =1。使振荡器的输出信号达到幅度平衡一般可分为外稳幅和内稳幅两种方法，由于内稳幅方法是利用晶体管本身固有的非线性来实现振荡平衡，其功耗和信号的非线性失真往往比较大，所以对于低功耗和低相位噪声的应用一般都是采用外稳幅方法，它是在电路设计上采取一些外界措施帮助振荡器在起振过程中，将自动调节为平衡时T =AF =1，从而减弱晶体管的非线性工作程度，以改善输出信号波形，减少相位失真，并可以控制输出信号幅度和电路功耗的大小。传统的Pierce振荡器如下图所示。M1作为放大器,R1为负载电阻，反馈电阻Rf用来稳定放大管的静态工作点,结构非常简单,得到了普遍的应用。但是如果使用电阻直接作为负载功耗太大,且电阻占用的版图面积大,不利于芯片集成；另外,振荡器电路没有对振荡电流的限制,很