[工学]《超大规模集成电路设计导论》第2章：集成电路工艺基础.ppt

* *1 第二章 集成电路工艺基础 清华大学计算机系 第一节 引言 集成电路的制造需要非常复杂的技术。作为集成电路设计者，有必要了解芯片设计中的工艺基础知识，才能根据工艺技术的特点优化电路设计方案。对于电路和系统设计者来说，更多关注的是工艺制造的能力。 由于VDSM和SOC的出现，给IC设计者提出了更高的要求，也面临着新的挑战：设计者不仅要懂系统、电路，也要懂工艺、制造。 第二节 半导体材料：硅 1、电阻率： 从电阻率上分，固体分为三大类。在室温下： 导 体： ρ10-4 Ω·cm 半导体： ρ=10-3 Ω·cm~109 Ω·cm 绝缘体： ρ109 Ω·cm 2．导电能力随温度上升而迅速增加 一般金属的导电能力随温度上升而下降，且变化不明显。 但硅的导电能力随温度上升而增加，且变化非常明显 3．半导体的导电能力随所含的微量杂质而发生显著变化 4．半导体的导电能力随光照而发生显著变化 5．半导体的导电能力随外加电场、磁场的作用而发生变化 6、P型和N型半导体 两种载流子：带负电荷的电子和带正电荷的空穴。 纯净硅称为本征半导体。本征半导体中载流子的浓度在室温下：T＝300K 当硅中掺入Ⅴ族元素P时，硅中多数载流子为电子，这种半导体称为N型半导体。 当硅中掺入Ⅲ族元素B时，硅中多数载流子为空穴，这种半导体称为P型半导体。 介绍几种集成电路工艺 氧化工艺 掺杂工艺：扩散、离子注入 淀积工艺：淀积、金属化 光刻工艺：光刻、刻蚀 第三节 集成电路制造工艺简介 一、氧化工艺 1、氧化用途 杂质扩散掩蔽膜 器件表面保护或钝化膜 电路隔离介质或绝缘介质 电容介质材料 MOS管的绝缘栅材料 2、氧化方法 干法氧化：其氧化空气是纯氧气，温度约在1200?C，以达到可接受的生长速度。硅在分子氧中的氧化按照全反应方程进行： Si（固体）+ O2（气体） SiO2 湿法氧化：其氧化空气中含有水蒸气。温度通常在900?C和1000?C之间，硅在分子水蒸气中的氧化按照全反应方程进行： Si（固体）+2 H2O（气体） SiO2 + 2H2 氧化过程会消耗硅，因为SiO2的体积约为硅的两倍，SiO2层几乎可以在上、下垂直方向等量的生长。 氧化厚度的控制 SiO2的厚度是氧化工艺的一个重要参数，它可以通过氧化的温度和时间来控制。 二、掺杂工艺 在衬底材料上掺入5价磷或3价硼，以改变半导体材料的电性能。掺杂过程是由硅的表面向体内作用的。目前，有两种掺杂方式：扩散和离子注入。 1、扩散 扩散法是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，将要掺入的杂质扩散到硅片内的一种方法。这种掺杂法的特点是适应于同时对多个硅片的掺杂。扩散分为两步： STEP1 预淀积：将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅片表面，余误差分布。 其中，Cs：杂质源原子浓度 D：P的扩散系数 t ：扩散时间 x：扩散深度 STEP2 推进：在高温、高压下，使硅片表面的杂质扩散到硅片内部。实验分析表明：浓度分布可由下式表示： 其中，Q：硅片表面浅层的原子浓度 D：P的扩散系数 t ：扩散时间 x：扩散深度 只要控制Q、T、t 三个因素就可以决定扩散深度及浓度。 电阻率与杂质浓度的关系 2、离子注入 利用电场加速杂质离子，将其注入硅衬底中的方法称为离子注入法。离子注入法的特点是可以精确地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。 其中： 离子注入的分布有以下两个特点： 1．离子注入的分布曲线形状（Rp，бp），只与离子的初始能量E0有关。并杂质浓度最大的地方不是在硅的表面，X＝0处，而是在X＝Rp处。 2．离子注入最大值Nmax与注入剂量NT有关。而E0与NT都是可以控制的参数。因此，离子注入方法可以精确地控制掺杂区域的浓度及深度。 离子注入后需要退火，减小晶体应力。 Rp：平均射程 ?p：穿透深度的标准差 Nmax=0.4NT/ ?p NT：单位面积注入的离子数，即离子注入剂量。 三．淀积工艺 集成电路制造工艺中，采用了各种各样的薄膜。这些薄膜是用淀积方法制作。 绝缘薄膜 半导体薄膜 金属薄膜（金属化） 薄膜的淀积法 化学气相淀积法CVD（chemical vap