[工学]材料的磁学性能.ppt

2、铁磁质自发磁化的机理（铁磁质的自发磁化理论） 1）Wiss 铁磁性假说 分子场假说：铁磁质内部存在很强的分子场，在该分子场的作用下，原子磁矩趋向于同方向平行排列 磁畴假说：铁磁质内分布有若干原子磁矩同向平行排列的小区域（磁畴），各磁畴的磁化方向随机分布，彼此抵消，整体对外不显磁性 尽管Wiss理论并未揭示分子场的本质，但基本上正确描述了铁磁质的内部形态 铁磁质由磁畴组成，而磁畴是因某种场力作用，使原子磁矩同方向平行排列、磁化达到饱和状态的小区域 在无外磁场时，铁磁质内已自发磁化形成磁畴，只不过是因为方向紊乱而对外不显示磁性而已 如果把原子磁矩比作个体，磁畴比作团体，则顺磁质磁化是原子磁矩的个体行为，而铁磁质是磁畴的团体行为 2）自发磁化的条件 自发磁化：铁磁质不依靠外磁场（或仅依靠其内磁场），形成若干饱和磁化小区域（磁畴）的现象 原子结构条件（必要）： 原子（或离子）总磁矩 ，即存在未被抵消的轨道、自旋磁矩，特别是 例如：在元素周期表中，第四周期副族，其3d亚层均未被电子填充满。理论上它们均有可能构成铁磁质，但实际上只有Fe、Co、Ni才具有铁磁性 晶体结构条件（充分）： 原子磁矩同方向平行排列的“分子场”,实际上是晶体内相邻原子间电子自旋的交换作用，与其相对应的能量为交换能： — 自旋角动量， ? — 两自旋角动量夹角 A — 交换积分常数，取决于电子运动状态的波函数和两原子间距 A ? 0时，? = 0，两电子自旋磁矩同向平行排列 A ? 0时，? = ?，两电子自旋磁矩反向平行排列 A a/r3d A ? 0 Fe、Co、Ni Cr、Mn Gd 原子间距能够决定A 的正、负或趋于 0 — 决定磁性 3）磁畴结构及其成因 磁畴： 铁磁质内部自发磁化至饱和状态（原子磁矩同向平行排列）的小区域，自发磁化的结果 磁畴结构（磁畴组态）：磁畴的形态、尺寸、取向、畴壁类型、畴壁厚度及其组成形式 ① 磁畴结构 a）主畴：一般都为大而长的片状或棱柱状，通常沿晶体易磁化方向； 副畴：多为短而小的三角形，不保证都出现在易磁化方向 b）磁畴壁：相邻磁畴之间、自旋磁矩改变方向的过渡区 c）相邻磁畴通过主畴、副畴和磁畴壁组合形成自己封闭的磁回路 d）磁畴的尺度通常小于晶粒，畴壁不能穿越晶界 ② 决定磁畴结构的因素 交换能最低：倾向于让所有自旋磁矩同方向平行排列，形成磁单畴 退磁能最低：倾向于让所有磁畴均形成封闭磁回路 磁弹性能最低：倾向于形成多数量、小尺寸、多方向、应变自恰的磁畴结构 磁各向异性能最低：倾向于让所有磁化方向均处于易磁化晶向 磁畴结构一定是使体系总的能量处于最低状态 ③ 磁畴壁结构及决定因素 布洛赫（Blooh）壁：畴壁内所有自旋磁矩变向的转轴垂直于壁面 奈耳（Neel）壁： 畴壁内所有自旋磁矩变向的转轴平行于壁面 交换能：畴壁越厚，交换能越低 磁各向异性能：畴壁越薄，磁各向异性能越低 最后的畴壁厚度一定使体系总畴壁能最低 交换能 磁各向异性能 畴壁能 布洛赫畴壁 Ⅰ阶段：M 随H 的增加而缓慢增加，去除外磁场后，无剩磁；在铁磁质内部，磁化通过畴壁的可逆迁移（畴壁内磁矩转向）使其内部与外磁场 成锐角的畴区面积发生变化 Ⅱ阶段： M随H 的增加而呈线性快速增加， 去除后有剩磁，此时，由于外磁场 较大，磁畴壁在迁移过程中克服了某些位垒，从而造成磁畴壁的不可逆迁移；在铁磁质内，与外磁场成锐角的畴区面积进一步扩大，有可能形成单畴 Ⅲ阶段：随H 的增加，M又缓慢增加并趋于饱和；在铁磁质内部，整个单畴磁化方向向外磁场 方向旋转来进一步使 增加 3、铁磁质的技术磁化 1）磁化过程中磁畴结构的变化规律 2）磁畴壁迁移的阻力 ① 不均匀的应力场 畴壁能主要由交换能、磁各向异性能、一定量的磁弹性能构成，局部应力区造成畴壁能随迁移位置变化而起伏的现象 应力区使畴壁能增加 畴壁内的弹性应变与该区域的应力状态不一致，应力区相当于能量起伏的“波峰”，必须依靠外磁场做功才能使磁畴壁通过该区域 应力区使畴壁能降低 畴壁内的弹性应变与该区域的应力状态一致，应力区相当于能量起伏的“波谷”，对磁畴壁具有“钉扎”作用，也需要外磁场额外做功才能让畴壁离开该处 应力区不改变磁畴壁的畴壁能 此时相当于无交互作用 ② 夹渣或杂质 夹渣或杂质主要指磁和磁化特性不同的异类物质。当畴壁经过此类异质物时，同样会与畴壁产生交互作用使畴壁能增高或降低，造成畴壁经过时的“位垒”或“钉扎” 上述磁畴壁的迁移阻力，是造成不可逆磁化（矫顽力）的根本原因 六、动态磁特性 1、动态交变磁场中磁滞回线的变形规律 磁滞回线的