[工学]核辐射探测第四章.ppt

γ射线大面积空间望远镜 GLASTGamma-ray Large Area Space Telescope 由美国NASA和能源部支持 及法国、意大利、日本、瑞 典等参加的GLAST 实验组, 为了研究宇宙中能量在20－ 300 GeV 的?射线等, 研制了 GLAST，其核心部分使用 了多层硅微条探测器, 总面 积大于80m2, 共130 多万路 读出。主要用来作为 ? →e-+e+ 的对转换过程的径迹测量望 远镜。 硅微条X光扫描系统及用该系统获得的鼠头颅像 小结 半导体探测器有突出的优点： 1）非常好的位置分辨率；2）很高的能量分辨率； 3）很宽的线性范围； 4）非常快的响应时间。 因以上优点，半导体探测器在粒子物理与核物理实验中得到广泛应用，在天体物理、宇宙线科学、核医学数字成像技术等领域的应用也迅速发展。 半导体探测器的种类很多，但大多数是基于加反向偏压的PN结。 探测器的灵敏区就是结型探测器的势垒区或锂漂移型探测器的补偿区，其中载流子浓度极低，电阻率很高，电场强度很大。灵敏区厚度确定了能探测粒子的最大能量。 面垒型探测器的结电容较大，随工作电压和温度变化，故需要使用电荷灵敏放大器。 必须小心保存和使用。 作业：1，3，4 * * * * * * * * 结合后，由于热运动，浓度大的向浓度小的扩散。 在PN结区，电子空穴很少，剩下的杂质正负离子形成空间电荷区，其内建电场方向由N区指向P区，阻止电子、空穴继续扩散，并造成P区中的电子和N区中的空穴，即少数载流子的反向漂移运动。当扩散运动和反向漂移运动达到平衡时，P区或N区的电子空穴浓度就不再变化。这个由杂质离子组成的空间电荷区，即PN结区，杂质原子均已电离，而导电的电子和空穴很少，亦称耗尽区，阻挡层，势垒区。 * * * * * * * * * * * * * （1）半导体探测器得到的gamma谱与闪烁谱仪相比，发生了质的变化。 2) P-I-N结的形成 基体用P型半导体(因为极高纯度的材料多是P型的)，例如掺硼的Si或Ge单晶。 (1) 一端表面蒸Li，Li离子化为Li+,形成PN结。 (2) 另一端表面蒸金属，引出电极。 外加电场，使Li+漂移。Li+与受主杂质(如B-)中和，并可实现自动补偿形成 I 区。 (3) 形成P-I-N结，未漂移补偿区仍为P，引出电极。 P N+ Intrinsic Semi Front metallization Ohmic back contact To positive bias voltage 由硅作为基体的探测器称为Si(Li)探测器，由锗作为基体的探测器称为Ge(Li)探测器。锂离子是用于漂移成探测器的唯一的离子。 2. 锂漂移探测器的工作原理 1) P-I-N结 （1）P-I-N结形成过程 （2）P-I-N加反向电压 I区宽度为结区宽度，不随反向电压变化 （3）P-I-N结的I区即为探测器的灵敏体积，探测射线 空间电荷形成电场 I区形成损耗层，电中性 I区电中性，电场分布均匀 2) 空间电荷分布、电场分布及电位分布 I区为完全补偿区，呈电中性为均匀电场； I区为耗尽层，电阻率可达1010?cm； I区厚度可达10～20mm，为灵敏体积。 杂质浓度 电荷分布 电位 电场 3) 工作条件 为了降低探测器本身的噪声和FET的噪声，同时为降低探测器的表面漏电流，锂漂移探测器和场效应管FET都置于真空低温的容器内，工作于液氮温度(77K)。 对Ge(Li)探测器，由于锂在锗中的迁移率较高，须保持在低温下，以防止Li+B-离子对离解，使Li+沉积而破坏原来的补偿； 对Si(Li)探测器，由于锂在硅中的迁移率较低，在常温下保存而无永久性的损伤。 4) 由于PIN探测器能量分辨率的大大提高，开创了?谱学的新阶段。 Li漂移探测器的问题：低温下保存代价很高；漂移的生产周期很长，约30～60天。 PIN探测器结构可以是平面型 的（如上所述），也可以是同轴型的，如图所示。同轴型的以P型芯贯穿晶体的情况，又可分为双端同轴探测器和单端同轴探测器。同轴型可以使灵敏体积较大。 3.能量分辨率 Si（Li）探测器常用于测量低能和x射线能谱，影响Si（Li）探测器的能量分辨率的因素类似于PN结型探测器，同样有电子－空穴对数的统计涨落，复合和俘获效应使谱峰低能边加宽（在布增加反向电流前提下可尽量增加偏置电压V0以减少复合和俘获），探测器噪声、窗厚等。 4.4 高纯锗(HPGe)半导体探测器 由耗尽层厚度的公式： 降低杂质的浓度Ni可提高耗尽层的厚度。 高纯锗半导体探测器是由极高纯度的Ge单晶制成的 P-N结 半导体探测器。杂质浓度为~1010原