[工学]第5章 场效应管及其基本放大电路 1.pptVIP

第5章 场效应管及其基本放大电路 5.1 场效应管 5.1.1 结型场效应管(JFET) 一、结型场效应管的工作原理 1、当uDS= 0时，uGS对导电沟道的影响 2、当uGS为UGS(off) ~ 0 中某一个固定值时，uDS对漏极电流iD的影响 2、当uGS为UGS(off) ~ 0 中某一个固定值时，uDS对漏极电流iD的影响 3、当uGDUGS(off) 时，uGS对iD的控制作用 二、结型场效应管的特性曲线 2、转移特性曲线 结型场效应管的特点： 5.1.2 绝缘栅型场效应管(MOS) 一、N沟道增强型MOS管 不同MOS管的符号 2、N沟道增强型的工作原理 (2) 当uDS=0且uGS0时 (3) 当uGSUGS(th)时，uDS加正向电压 (3) 当uGSUGS(th)时，uDS加正向电压 (3) 当uGSUGS(th)时，uDS加正向电压 NMOS管工作过程的动画演示： 3、N沟道增强型的特性曲线和电流方程 二、N沟道耗尽型MOS管 2、N沟道耗尽型的工作原理 3、N沟道耗尽型的输出特性和转移特性曲线 5.1.3 场效应管的主要参数 例1 练习： 例2 例2 例2 5.1.4 场效应管与晶体管的比较 5.1.4 场效应管与晶体管的比较 5.2 场效应管放大电路 一、基本方法 2、由增强型MOS管组成 3、由耗尽型MOS管组成 二、自给偏压电路 静态分析 例1 三、分压式偏置电路 静态分析 5.2.2 场效应管的交流等效模型 5.2.2 场效应管的交流等效模型 5.2.3 共源放大电路的动态分析 例2 例2 5.2.4 共漏放大电路 二、动态分析 二、动态分析 例3 例3 本章作业： 已知管子的转移特性下图所示。试分析管子是什么类型的场效应管(结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型)？并写出它的开启电压或夹断电压。 iD/mA uGS/V O 1 2 3 -4 -2 iD/mA uGS/V O 2 4 -2 -1 -3 iD/mA uGS/V O -1 1 2 -3 iD/mA uGS/V O -2 -4 -2 -4 N沟道JEFT管 UGS(off)=-4V N沟道耗尽型MOS管 UGS(off)=-3V P沟道耗尽型MOS管 UGS(off)=2V P沟道增强型MOS管 UGS(th)=-4V 电路如图所示，试分析UI为0V、8V和10V三种情况下Uo为大？ +VDD +15V + T Rd 5k? - uI + - uo 解： 当UGS=UI=0V时，管子处于夹断状态，iD=0 uo=VDD=15V 当UGS=UI=8V时，管子工作在恒流区时iD=1mA uo=VDD-RdID=15-5×1 = 10V iD/mA uDS/V 8V O 10V 6V 4V 0.25 1 2 3V 6V 9V 12V 15V iD/mA uDS/V 8V O 10V 6V 4V 0.25 1 2 3V 6V 9V 12V +VDD +15V + T Rd 5k? - uI + - uo 解： 当UGS=UI=10V时，假设管子工作在恒流区，则 uDS=VDD-RdiD=15-5×2.2 = 4V iD=2.2mA 当UGS=10V时的预夹断电压为： uDS=uGS-UGS(th) =10-4 = 6V 管子工作在可变电阻区。 电路如图所示，试分析UI为0V、8V和10V三种情况下Uo为大？ +VDD +15V + T Rd 5k? - uI + - uo iD/mA uDS/V 8V O 10V 6V 4V 0.25 1 2 3V 6V 9V 12V 15V 3 直流负载线：uDS=VDD-RdiD=15-5iD 作出直流负载线即可判断出工作在哪个区。 1、场效应管的栅极g、漏极d 、源极s分别对应于晶体管的基极b、集电极c、发射极e，它们的作用相似。 2、场效应管是电压控制电流器件，场效应管栅极基本上不取电流，而晶体管工作时基极总要取一定的电流。所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管；而在允许取一定量电流时，选用晶体管进行放大可以得到比场效应管较高的电压放大倍数。 3、场效应管是多子导电，而晶体管既有多子又有少子。由于少子的浓度易受温度、辐射等外界条件的影响，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化比较剧烈的情况下，选用场效应管比较合适。 4、场效应管源极和漏极可以互换使用，耗尽型绝缘栅型管的栅极电压可正可负，灵活性比晶体管强；而晶体管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，放大倍数值将减小很多。 5、场效应管的噪声系数较小，所以在低噪声