[工学]第6章内存储器接口.pptVIP

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2018-02-15 发布于浙江
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[工学]第6章内存储器接口.ppt

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[工学]第6章内存储器接口

内存储器接口 3. 内存储器接口技术 [例2] 以8088为CPU的微机系统，其RAM模块与总线的连接如图所示。试分析RAM模块占用的地址范围。（3）实例 1 0 0 1 1 0 0 0 ～1 ～1 ～1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 ～1 ～1 答：分析可知，该系统RAM占用地址范围如下： 1#:50000H ～51FFFH 2#:52000H ～53FFFH 3#:54000H ～55FFFH 8#:5E000H ～5FFFFH 1 1 1 1 1 1 1 0 3. 内存储器接口技术 [例3] Page 191，习题10 解：i）先位扩展，2个2114芯片1组；再字扩展，需要2个组。 ii）因为地址范围为: A19 ～A16A15 ～A12 A11A10A9A8 A7 ～A0 0 ～ 0 0 ～ 0 1 0 0 0 0 ～ 0 0 ～ 0 0 ～ 0 1 0 1 1 1 ～ 1 0 ～ 0 0 ～ 0 1 1 0 0 0 ～ 0 0 ～ 0 0 ～ 0 1 1 1 1 1 ～ 1 （3）实例第1组第2组若采用门电路以全译码方式，可设计电路如下： RAM占用的地址范围： 00800H～00FFFH A19 0 A12 0 A11 1 A10 0 1 + + 0 0 0 A0 ～ A9 D0 ～ D3 OE WE CS 2114 A0 ～ A9 D0 ～ D3 OE WE CS 2114 A0 ～ A9 D0 ～ D7 MEMR MEMW + 若采用门电路以部分译码方式，地址A19～A12不参与译码，译码电路是怎样的?占用的地址范围呢? RAM占用的地址范围： 00800H～00FFFH 01800H～01FFFH 02800H～02FFFH FF800H～FFFFFH A19 0 A12 0 A11 1 A10 0 1 + + 0 0 0 + A0 ～ A9 D0 ～ D3 OE WE CS 2114 A0 ～ A9 D0 ～ D3 OE WE CS 2114 A0 ～ A9 D0 ～ D9 MEMR MEMW [思考] 若采用门电路以部分译码方式，地址A19～A11不参与译码，译码电路是怎样的? RAM占用的地址范围： 00800H～00FFFH 01800H～01FFFH 02800H～02FFFH FF800H～FFFFFH 00000H～007FFH 01000H～017FFH 02000H～027FFH FF000H～FF7FFH A11 1 A10 0 1 + + 0 0 0 A0 ～ A9 D0 ～ D3 OE WE CS 2114 A0 ～ A9 D0 ～ D3 OE WE CS 2114 A0 ～ A9 D0 ～ D9 MEMR MEMW 4. PC机内存储器的组织 a. 单体多字方式（1）提高内存储器存取速度的对策 b.多体并行编址方式（2）PC机的多体并行存储结构 a. 16位微机系统的内存储器 [例]8086微机系统1MB主存的接口电路 2体交叉存储内存条芯片组总线 4. PC机内存储器的组织表6.3 使用BHE和BLE（A0）选择存储体 0 1 0 1 0 A0 AD15~AD8 （第1个总线周期读/写低8位） 0 读/写奇地址的1个字 AD7～AD0 （第2个总线周期读/写高8位） 1 AD15~AD0 0 读/写偶地址1个字 AD15~AD8 0 读/写奇地址的1个字节 AD7~ AD0 1 读/写偶地址的1个字节所用数据引脚 BHE 操作 * 微机原理与汇编语言 Date: * 安康学院电子与信息工程系 - Department of Electronic and Information Engineering * 微机原