[工学]第七讲_MEMS.pptVIP

材料的分类 结构材料和功能材料 硅 硅的结构表征和机械特性 作为功能材料的压阻硅 硅的化合物 氧化硅、氮化硅、碳化硅以及多晶硅 其他典型的籿底材料和功能材料 砷化镓、石英、压电晶体 聚合物材料（同时可用作功能或结构材料） 封装材料 MEMS对材料的要求 1、具有可微机械加工的特性； 2、具有一定的机械性能； 3、具有较好的电性能； 4、具有较好的热性能。 目前能基本满足上述要求的材料有：半导体硅、锗、砷化镓、金属铌，以及石英晶体等，其中，尤以硅材料最为常见。 MEMS材料 结构材料 基底材料：硅、砷化镓、其他半导体材料； 薄膜材料：单晶硅、氮化硅、氧化硅、LB膜； 金属材料：金、铝、其他金属。 功能材料 高分子材料：聚酰亚胺、PMMA； 敏感材料：压阻、压电、热敏、光敏、其他； 致动材料：压电、形状记忆合金、磁性材料等 衬底材料的要求 直径尽可能大 一致性好 均匀性 掺杂性 杂质 表面清洁 点缺陷 。。。。 低成本 一、硅材料 单晶硅具有优良的机械、物理性质，其机械品质因数可高达 数量级，滞后和蠕变极小，几乎为零，机械稳定性好 。 硅材料的质量轻，密度为不锈钢的1／3，而弯曲强度却为不锈钢的3.5倍，它具有高的强度密度比和高的刚度密度比。 有关单晶硅的机械物理性质 硅晶体的传感特性 硅材料的优点 1、优异的机械特性； 2、便于批量生产微机械结构和微机电元件； 3、与微电子集成电路工艺兼容； 4、微机械和微电子显露便于集成。 1.1 晶面与晶向 硅晶体属于金刚石型晶体结构，其晶胞都具有立方体的形式，在立方体的每个角上都具有一个原子。我们把这个立方体的边长定为晶格常数，用a表示，在室温标准大气压下硅的a=5.43A 。 例7-1 求纯硅每立方厘米的原子数。 解： 由于晶格常数b＝0.543nm＝0.543×10－9m，且每个立方晶胞中有18个原子，则在一立方厘米内的原子数为（1cm＝0.01m）： V和v分别代表题中硅的体积和一个单晶体的体积；n是一个单位硅晶体中的原子数。 晶面 由于单晶体是原子周期性规则排列所组成，因此在单晶体中可以划分出一系列彼此平行的平面，这些面被称为晶面。这些彼此平行的晶面组成了晶面族，晶面族有以下性质： 每一晶面上结点排列的情况完全相同； 相邻的晶面之间距离相等； 一族晶面可以把所有的结点都包括进去 。 晶面指数（密勒指数） 为了识别晶体内的一个平面，习惯上用晶面指数来标记 。 晶向 晶体中所取的方向不同，其物理化学性质也不同．这就形成了晶体的各向异性。晶向可以用垂直于该晶面的法线方向来表示 由于硅属于立方晶体结构，在不同晶面上原子的排列密度不同，导致硅晶体的各向异性，因此杂质的扩散速度、腐蚀速度也各不相同。 硅单晶在晶面上的原子密度是以(111)(110)(100)的次序递减，因此扩散速度是以(111)(110)(100)方向递增。 腐蚀速度也是以(111)(110)(100)的顺序而增加 。 1.2 多晶硅 单晶是指整个晶体内原子都是周期性的规则排列，而多晶是指在晶体内各个局部区域里原子是周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同。因此多晶体也看作是由许多取向不同的小单晶体组成的 。 多晶硅材料的主要特点 1、多晶硅薄膜的生长温度低，一般为几百度，最低才200?C左右。这样的低温工艺过程，不仅省能，而且在集成电路或集成传感器的制作中不会对前期工艺制作的有源区边界及杂质分布产生影响。 多晶硅材料的主要特点 2、多晶硅薄膜对生长衬底的选择不苛刻。衬底只要有一定的硬度、平整度及能耐受住生长工艺温度即可。 3、可以通过对生长条件及后工艺的控制来调整多晶硅薄膜的电阻率，使它成为绝缘体、导体或半导体，从而适应不同器件或器件不同部分的需要。 多晶硅材料的主要特点 4、多晶硅薄膜作为半导体材料可以像单晶硅那样通过生长、扩散或离子注入进行掺杂，形成N型或P型半导体，制成p-n结；可以采用硅平面工艺进行氧化、光刻、腐蚀等加工。 多晶硅材料的主要特点 5、由于生长的膜厚可以较好的控制，与其他薄膜有良好的相容性，有利于制造多层膜结构，给器件设计带来较大的灵活性。 6、生长工艺的进步使得多晶硅薄膜不仅可以大批量生长，而且可以大面积生长，因而成本低，易于扩大应用。 1.3硅的力学性能 在800℃以下，硅基本上无塑性和蠕变的弹性材料 。在所有的环境中几乎不存在疲劳失效。 硅是脆性材料。 硅衬底的另一个缺点是它的各向异性 。 例7-2 如第5章所述，材料的热扩散率是热量流入材料快慢的量度。列出硅、二氧化硅、铝和铜的热扩散率，并分析结果。 解：热扩散率是材料几个特性的函数： 2硅化合物 二氧化