[工学]项目1 晶体管基本电路的测试与应用设计.pptVIP

普通二极管图片   图 P1.1 发光二极管图片 图 P1.2 光电二极管图片 图 P1.3 看一看 二极管有哪些特性? 单向导电性 伏安特性 温度特性 发光效应 光电效应 电容效应 稳压效应 任务1.1.1 二极管单向导电性的测试 做一做 实验箱介绍 1.电源线与地线的连接 2.输入与输出的连接 3.表头的连接 4.结点的连接 5.电位器的连接 6.集成电路的连接 图 P1.7 接线要求规范： 电源+ 红线 输入+ 红线 电源 - 黑线 输入 - 黑线 地 黑线 其他： 黄线 接线有序 横平竖直 二极管的测量与判别 运用数字万用表判别二极管须知 测量过程中数字万用表显示的500～700，是指二极管的正向导通压降 任务1.1.1 二极管单向导电性的测试 测试电路如图所示，其中:VD为1N4148，R为1k。 ③ 保持步骤②，将二极管反接（此时二极管两端所加的电压为反向电压），测量输出电压和电流的大小，并记录： UO = Ｖ，I = mA 结论：当二极管两端所加的电压为反向电压时，二极管将 （导通／截止）。 1、半导体的基本知识 半导体器件是电子电路的核心，半导体芯片上大量用到二极管、三极管、和场效应管（MOS）。 本节讲授半导体的基本知识，是为理解半导体器件的特性与工作原理奠定必要的基础。 （2）半导体的共价键结构 半导体结构 硅的原子核的最外层有4个电子，又叫价电子； 受原子核的束缚力最小。 （3）本征半导体、空穴及其导电作用 ＃本征激发产生自由电子与空穴成对出现； ＃自由电子与空穴都是可以移动的载流子； ＃自由电子带负电 ＃空穴带正电 2.载流子：可移动的带电粒子 复合 Four outer electrons around the nucleus Pure Semicoductor hole 本征半导体动画 （4）杂质半导体 N型半导体(Negative) 掺入五价元素（杂质） →杂质电离→ 形成一个自由电子和不能移动的正离子 N型半导体：施主杂质 自由电子——多数载流子 空穴——少数载流子 P型半导体(Positive) 掺入三价元素B（杂质） →杂质电离→ 形成一个空穴和不能移动的负离子 P型半导体： 空穴——多数载流子 自由电子——少数载流子 （1）　PN结的形成 浓度差 空间电荷区 内电场 少子漂移运动 动态平衡 多子扩散运动 图 P1.20 2.二极管的单向导电性 （1）　PN结的形成 图1.10 PN结的形成 PN结的形成的动态演示 图 P1.21 （2）PN结的单向导电性原理 1、正向偏置 P加电源‘＋’、 N加电源‘－’ ※外电场削弱内电场，从而促进多子的扩散，抑制少子的漂移。 ※PN结中以多子的扩散电流为主，方向P→N，称为正向电流。 ※正向电流较大，PN结呈现较小电阻，称PN结正向导通。 PN结正向偏置的动态演示 图 P1.23 2、反向偏置 图 P1.24 P－‘－’、 N－‘＋’ ※外电场加强内电场，从而抑制多子的扩散，促进少子的漂移。 ※PN结中以少子的漂移电流为主，方向N→P，称为反向电流 Isat。 ※反向电流较小，PN结呈现较大电阻，称PN结反向截止。 PN结反向偏置的动态演示 图 P1.25 PN结正偏时， 耗尽层变窄具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻； PN结导通（仍有由本征激发引起的很小的反向漂移电流）。 PN结反偏时， 耗尽层加宽仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻。 PN结截止 结论 ∴ PN结具有单向导电性。 ∴ PN结具有单向导电性。 二极管是单个PN结构成的器件,也具有单向导电性。 图 P1.30 任务1.1.2 二极管伏安特性的测试 做一做 任务1.1.2 二极管伏安特性的测试 ① 按图1.12（a）接好电路（此时读出的电压和电流值应视为正值）。 ② 按表1.1的要求测量各点电压和电流值，并填入表中。 表1.1 二极管伏安特性测量结果 U/V 0 0.5 I/mA 0.5 1 2 3 5 10 测试电路如图所示，其中:VD为1N4148，R为1k。 任务1.1.2 二极管伏安特性的测试 表1.1 二极管伏安特性测量结果 U/V -1 -10 -20   I/A   ③ 按图1.12（b）接好电路（此时读出的电压和电流值应视为负值）。 ④ 按表1.1的要求测量各点电压和电流值，并填入表中。 ⑤ 根据表1.1的结果，在坐标纸上大致绘出二