第6单元电工与电子技术资源-徐咏冬.ppt

第六单元 晶体管和基本放大电路 第六单元 晶体管和基本放大电路 【学习目标】 1.掌握半导体三极管的结构和基本特性。 2.学习共射极基本放大电路、分压偏置式放大电路、射极输出器、功率放大电路的结构和应用方法。 3. 学会放大电路的静态分析和动态分析方法，了解多级放大电路的分析方法。 综合知识模块一 半导体三极管 能力知识点1 晶体管的结构 能力知识点2 晶体管的电流放大作用 能力知识点3 晶体管的特性曲线 能力知识点4 晶体管的主要参数 综合知识模块二 共射级基本放大电路 能力知识点1 电路的组成和特点 能力知识点2 电路工作原理 能力知识点3 共射级基本放大电路的静态分析 能力知识点4 共射级基本放大电路的动态分析 综合知识模块三 静态工作点的稳定 能力知识点1 温度对静态工作点的影响 能力知识点2 分压偏置式放大电路 综合知识模块四 射级输出器 能力知识点1 静态分析 能力知识点2 动态分析和电路特点 综合知识模块五 射级输出器多级放大电路 能力知识点1 级间耦合方式 能力知识点2 电路分析 综合知识模块六 功率放大电路 能力知识点1 功率放大的一般问题和解决措施 能力知识点2 互补对称式功率放大电路 第六单元 晶体管和基本放大电路 三极管是由三层半导体组成两个PN结，三层半导体分别引出三个电极，故称三极管。由于三层半导体的排列方式不同，三极管有两种结构形式：NPN型管和PNP型管。 三根引线分别表示集电极C，基极B和发射极E，符号中的箭头可以表示： (1)表示发射结，进而确定与之相连的引线是发射极； (2）可以表示三极管的类型（PNP还是NPN），因为箭头的方向是按照PN结的正向导通(P指向N)绘制的。 (3）表示三极管导通时，其内部的电流的流动方向。 一、电流放大作用实验 EB与RP：可调的基极电源，正极由RB到基极，负极到发射极上，形成了输入回路 EC：集电极电源，其正极接集电极，负极接发射极，形成三极管的输出回路。 输入回路和输出回路的公共端为发射极，所以这种接法称为共发射极接法。 2．三极管的工作特性 （1）电流分配关系 对于每一列数据均有IE=IB+IC （2）集电极与发射极的导通作用 当基极电流IB略有增大，集电极和发射极电流均有较大的增加。从第二列到第六列的实验数据均可以看出：IC和IE都比IB大的多，忽略IB，则为： IC≈IE （3）三极管的电流放大作用： 由第三列数据得： 由第六列数据得： 由第三、四列数据得： 3．三极管导通的外部条件 发射结正向偏置（发射结加P高、N低的电位）；集电结反向偏置三极管导通的条件要求三极管工作时需要两个电源：基极电源和集电极电源。两个电源的大小和极性必须保证三个极的电位顺序： 对于NPN型管：VC＞VB＞VE ；对于PNP型管：VE＞VB＞VC 。 4．三极管的发射结压降 三极管在导通时，发射结处于正向偏置状态，所以三极管的发射结压降与二极管的管压降相同：硅管UBE=0.6-0.7V，锗管UBE=0.2-0.3V， 三极管的特性曲线是指三极管各级电压与各级电流之间的关系曲线，它反映了三极管的性能。最常用的是共射极接法时的输入特性曲线和输出特性曲线。测试电路如图所示。 一、输入特性曲线 （1）UCE=0V时的输入特性 调节RP2，使UCE=0V。调节RP1测出不同的IB对应的UBE，用描点法绘出UCE=0V时的输入特性。 （2）UCE≥1V时的输入特性 调节RP2，使UCE增大。同样用描点法绘出对应的输入特性。 随着UCE的增大，输入特性右移，当UCE≥1V以后，输入特性曲线基本重合在一起，不再继续右移。 二、输出特性曲线。 是指基极电流IB为常数时，集电极电流IC与集电极、发射极之间UCE之间的关系曲线，它反映了三极管输出回路的伏安特性。当IB为不同常数时，均有一条对应的特性曲线 。 （2）截止区 IB=0以下的区域称为截止区。 此时，截止区反映的是发射结不满足截止正向偏置条件时三极管的工作状态。 UBE小于死区电压，三极管截止，IC近似为零。 （3）饱和区 在输出特性中靠近纵轴的区域。 饱和区反映的是发射结和集电结均处于正向偏置时三极管的工作状态。此时，发射结和集电结均为正向导通，所以C、E之间呈现出很小的电阻，近似于短路。IC不受IB控制，而是由外电路决定。 1．电流放大系数β 三极管集电极电流与基极电流的比值 2．集电极反向饱和电流ICBO 当发射极开路时，集电极与基极之