原子层淀积技术.PDFVIP

原子层淀积技术原子层淀积技术 原子层淀积(ALD)技术正逐渐成为了微电子器件制造领域的必须。ALD技术于 原子层淀积(ALD)技术正逐渐成为了微电子器件制造领域的必须。ALD技术于 1977 1977 年首 年首 次由Tuomo Suntola博士发明，他利用ZnC次由Tuomo Suntola博士发明，他利用ZnC 和H和H S来淀积应用于电致发光器件中的硫化锌 S来淀积应用于电致发光器件中的硫化锌 1212 22 膜。多年来，原子层淀积技术的应用范围涉及从液晶显示面板(LCD panel)到工业涂 膜。多年来，原子层淀积技术的应用范围涉及从液晶显示面板(LCD panel)到工业涂 层层 多种领域，目前，该技术正被开拓到先进微电子制造工艺中，例如制备用于晶体管 多种领域，目前，该技术正被开拓到先进微电子制造工艺中，例如制备用于晶体管 栅堆栅堆 及电容器中的高k介质和金属薄膜、铜阻挡/籽晶膜、刻蚀终止层、多种间隙层和 及电容器中的高k介质和金属薄膜、铜阻挡/籽晶膜、刻蚀终止层、多种间隙层和 薄膜扩薄膜扩 阻挡层、磁头以及非挥发存储器等。 ALD相比传统的MOCVD和PVD等淀积工艺阻挡层、磁头以及非挥发存储器等。 ALD相比传统的MOCVD和PVD等淀积工艺具有先天的具有先天的 势。它充分利用表面饱和反应 势。它充分利用表面饱和反应 （surface saturation reactions），天生具备厚度控制和高度的稳定性能，（surface saturation reactions），天生具备厚度控制和高度的稳定性能， 对温对温度和度和 反应物通量的变化不太敏感。这样得到的薄膜既具有高纯度又具有高密度，既平反应物通量的变化不太敏感。这样得到的薄膜既具有高纯度又具有高密度，既平整又具整又具 有高度的保型性，即使对于纵宽比高达 100:1 的结构也可实现良好的阶梯覆盖。ALD有高度的保型性，即使对于纵宽比高达 100:1 的结构也可实现良好的阶梯覆盖。ALD也也 顺应工业界向更低的热预算发展的趋势，多数工艺都可以在 顺应工业界向更低的热预算发展的趋势，多数工艺都可以在 400 400 摄氏度以下进行，而传 摄氏度以下进行，而传 统的化学气相淀积工艺要在 统的化学气相淀积工艺要在 500 500 摄氏度以上完成。摄氏度以上完成。 ALDALD 的基本原理的基本原理 ALD 的基本步骤如图一所示。这种淀积过程是在经过活性表面处理的衬底上进行的。ALD 的基本步骤如图一所示。这种淀积过程是在经过活性表面处理的衬底上进行的。首首 先将第一种反应物引入反应室使之发生化学吸附，直至衬底表面达到饱和。过剩先将第一种反应物引入反应室使之发生化学吸附，直至衬底表面达到饱和。过剩的反应的反应 物则被从系统中抽出清除，然后将第二种反应物放入反应室，使之和物则被从系统中抽出清除，然后将第二种反应物放入反应室，使之和衬底上被衬底上被吸附吸附的的物物 质发生反应。质发生反应。剩余的反剩余的反应物和反应应物和反应副产品将再副产品将再次通过泵抽次通过泵抽或惰性气体或惰性气体清清除的方法除的方法清清除干除干 净。这样就可得到目标化合物的单层饱和表面。这种 净。这样就可得到目标化合物的单层饱和表面。这种 ALD ALD 的循环可实现一层接一层的生 的循环可实现一层接一层的生 长从而可以实现对淀积厚度的精确控制。长从而可以实现对淀积厚度的精确控制。 由于 由于 ALD ALD 是基于在交互反应过程中的自约束性生长，此工艺必须经过精细的调节来达到 是基于在交互反应过程中的自约束性生长，此工艺必须经过精细的调节来达到 最合适的结果。即使原子层淀积唯一的表面反应特征降低了正常化学气相淀积对温度、最合适的结果。即使原子层淀积唯一的表面反应特征降低了正常化学气相淀积对温度、 压力和组分的严格要求，人们仍然需要优化 ALD 的参数以实压力和组分的严格要求，人们仍然需要优化 ALD 的参数以实现其准确的现其准确的厚度控制和厚度控制和超级超级 的保型性。反应室温度是用来控制表面饱和的重要参数之一，作为 的保型性。反应室温度是用来控制表面饱和的重要参数之一，作为 ALD ALD 的基础，反的基础，反应室应室 温度起着两个主要作用：温度起着