[信息与通信]模电第四章 常用半导体器件原理_2_.ppt

第二章　集成运算放大器的线性应用基础 USB =5V时: 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 4.4.5　晶体管应用电路举例 一、对数和反对数运算电路 　　晶体管的电流方程 图中，UO = - UBE = - UTln(IC / IS)， 又IC = UI / R，所以 这样就实现了对数运算。 　　图中，输出电压UO = ICR = - ISR exp(- UBE / UT)，而输入电压UI = - UBE，因此 从而实现了UO和UI之间的反对数 (指数) 运算。? 二、? 值测量电路 　　图示电路用以测量晶体管的共发射极电流放大倍数 ? 。因为IC = (U1 - U2) / R1，IB = UO / R2，所以 据此可以根据电压表的读数UO，结合预设电压U1和U2以及电阻R1和R2计算? 。 三、恒流源电路 　　如图所示，稳压二极管DZ的稳定电压UZ = 6 V。UZ通过集成运放A传递到电阻R2上端，于是有IO = IC ? IE = UZ / R2 = 20 mA。 作业：4-10、11、12、16 双极型晶体管 输入电阻小 输入电流 少子扩散导电 易受温度 射线的影响 集成度低 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管 （Field effect transistor） 输入电阻极大 输入电流几乎为零 多子漂移导电 温度稳定性好 便于集成 4.5　场效应管 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 导电沟道 4.5.1　结型场效应管(JFET-----Junction type Field Effect Transister) N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S 工作原理（以P沟道为例） UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压UGSoff）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A ID P G S D UDS UGS UGS UGSoff且UDS0、 UGD UGSoff时耗尽区的形状（沟道未夹断） N N 越靠近漏端，PN结反压越大 ID P G S D UDS UGS UGS UGSoff且UDS较大时UGD UGSoff时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID G S D UDS UGS UGS UGSoff UGD= UGSoff时 N N 漏端的沟道被夹断，称为预夹断。 UDS增大则被夹断区向下有所延伸。 ID G S D UDS UGS UGS UGSoff UGD= UGSoff时 N N 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID 三、特性曲线 uGS 0 iD IDSS UGSoff 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定UDS下的iD-uGS曲线 予夹断曲线 iD u DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 uGS 0 iD IDSS UGSoff 输出特性曲线 iD u DS 0 UGS=0V -1V -3V -4V -5V N沟道结型场效应管的特性曲线 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 ［例4.3.7］二极管限幅电路如图 (a) 所示，其中二极管D1和D2的导通电压UD(on) = 0.3 V，交流电阻rD ? 0。输入电压ui的波形在图 (b) 中给出，作出输出电压uo的波形。 解：D1处