[信息与通信]第02章 半导体二极管及其应用电路.pptVIP

模拟电子技术基础 电子教案 V1.0 第2章 2 半导体二极管及其应用电路 2.1 PN结的基本知识 2.1.1 本征半导体及其导电性 2.1.2 杂质半导体 2.1.3 PN结及其单向导电性 2.1.4 PN结电容 2.2 半导体二极管 2.2.1 二极管的结构 2.2.2 二极管的伏安特性 2.2.3 二极管的主要参数 2.2.4 二极管模型 2.3 二极管应用电路 2.3.1整流与稳压电路 2.3.1 整流电路 2.3.2 限幅电路 2.3.3 钳位电路 2.4 特殊二极管 2.4.1 稳压二极管 2.4.2 光电二极管 2.4.3 发光二极管 图2.2.8 小信号模型 (a) 伏安特性曲线 (b) 代表符号 2.3.1 整流电路 2.3.2 限幅电路 2.3.3 钳位电路 整流电路 D + - + - R vO vi 当vi 0V时，D导通，则vO=vi 当vi ?0V时，D截止，则vO=0V 由此，利用二极管的单向导电性，实现了半波整流。 若输入信号为正弦波： 平均值： VO t 0 vi t 0 vO （a） （b） 图2.3.1 单向半波整流电路 （a）电路图 （b）vI和vO的波形 2.3 二极管应用电路 （a） （b） 图2.3.2 单向全整流电路 （a）电路图 （b）v2和vo的波形 （a） （b） （c） 图2.3.3 二极管限幅电路（a）电路图 （b）vi＞VB时的等效电路 （c）vi＜VB时的等效电路 2.3 二极管应用电路 图2.3.4 二极管限幅电路波形图 图2.3.5 二极管钳位电路(a）电路图 （b）输入电压波形 （c）电容两端电压波形 （d）输出电压波形 (a) (c) 2.3 二极管应用电路 2.4.1 稳压二极管 2.4.2 光电二极管 2.4.3 发光二极管 2.4.4 激光二极管 1. 稳压管及其稳压作用 2. 稳压管的主要参数 (1) 稳定电压VZ (2) 稳定电流IZ (3) 动态电阻rZ （a） （b） 图2.4.1 稳压管电路符号与伏安特性（a）电路符号 （b）伏安特性 (4) 额定功耗PZ (5) 稳定电压的温度系数K 2.4 特殊二极管 图2.4.3 光电二极管（a）电路符号 （b）等效电路 （c）特性曲线 2.4 特殊二极管 * * 2.1 PN结的基本知识 2.2 半导体二极管 2.3 二极管应用电路 2.4 特殊二极管 2.1.1 本征半导体及其导电性 2.1.2 杂质半导体 2.1.3 PN结及其单向导电性 2.1.4 PN结电容 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 1 半导体物理基础知识 硅 ( Si ) 、锗 ( Ge ) 原子结构及简化模型： +14 2 8 4 +32 2 8 4 18 +4 价电子 惯性核 硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 硅和锗共价键结构示意图： 共价键 1.1.1 本征半导体 当T升高或光线照射时 产生自由电子空穴对。 共价键具有很强的结合力。 当T=0K（无外界影 响）时，共价键中无自由移动的电子。 这种现象称 注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。 本征激发。 本征激发 当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留下空位，同时原子因失去价电子而带正电。 当邻近原子中的价电子不断填补这些空位时形成一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动。 注意：空穴运动方向与价电子填补方向相反。 自由电子 — 带负电 半导体中有两种导电的载流子 空穴的运动 空 穴 — 带正电 图2.1.1 本征半导体的共价键结构 2.1 PN结的基本知识 图2.1.2 电子和空穴的移动 1. 本征半导体 2. 本征激发 自由电子 空穴 复合 自由电子 空穴 载流子: 运载电荷的粒子 N型半导体： 1.1.2 杂质半导体