[信息与通信]集成光波导制造技术.ppt

4.4 外延生长 下图为利用气相外延（VPE）生长的Ga(1-x)AlxAs多层波导 n2 Ga(1-x)AlxAs n3 Ga(1-y)AlyAs GaAs Substrate yx guide layer confining layer 4.4 外延生长 分子束外延（MBE）:在超高真空条件下，由一种或者几种加热原子或分子束与晶体表面进行反应生长外延层的工艺。MBE既能精确地控制化学配比，也能精确地控制掺杂分布，利用MBE可获得原子层量级的多层单晶结构。因此MBE方法能够精确制备从几分之一微米直到单原子层的半导体异质外延薄膜。 通常MBE的生长速率非常低，比如GaAs的生长速率一般只有1um/h。 4.4 外延生长 利用MBE法制备Ga(1-x)AlxAs 此MBE生长系统集薄膜淀积、清洗以及原位化学特性兼容于一身。Ga,As,Al和掺杂剂分别放在用热解氮化硼做的喷射炉内，所有喷射炉都放在超真空室中。各个炉子的温度可调，以便获得所需的蒸发速率。衬底支架可连续旋转以获得均匀的外延层。 4.4 外延生长 金属有机物化学气相沉积（MOCVD） MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延。 优点：适用范围广泛；生长易于控制；纯度高。 缺点：所使用的氢化物有剧毒；设备复杂。 目录 4.1 薄膜淀积 4.2 替位式掺杂 4.3 降低载流子浓度形成波导 4.4 外延生长 4.5 电光波导 4.6 氧化 4.7 沟道波导的制造方法 4.5 电光波导 机理：利用GaAs等半导体材料的电光效应，通过电场的作用来控制特定区域的折射率，从而形成波导。 V 金属 耗尽层 100 衬底 x y z 在衬底上淀积金属构成肖特基接触，对肖特基势垒施加反向偏压，形成耗尽区。耗尽层的折射率比周围衬底折射率高。 4.5 电光波导 电光波导的优势：可以用电对其进行控制，因此可用于光开关和光调制器。 需要注意两个问题： 1： 由于电光效应的各项异性，所以衬底晶体的晶向和传输波的偏振态必须加以仔细考虑； 2： 给肖特基势垒施加反向偏置电压的时候要防止雪崩击穿。 目录 4.1 薄膜淀积 4.2 替位式掺杂 4.3 降低载流子浓度形成波导 4.4 外延生长 4.5 电光波导 4.6 氧化 4.7 沟道波导的制造方法 4.6 氧化 半导体可以采用多种方式进行氧化，其中包括热氧化、电化学阳极氧化以及等离子增强化学气相沉积（PECVD）。在这些方式中，热氧化是硅器件最重要的氧化方法。对于III –V族材料，热氧化所产生成分一般偏离化学配比，所以一般不用III-V族材料的氧化物。 下列化学反应式描述了硅在氧气（干氧化）或水蒸气（湿氧化）中的热氧化反应： 4.6 氧化 典型的硅氧化工艺设备示意图 热氧化的基本装置如图所示，反应器由电阻加热炉、圆筒形融凝石英管（管内装有立放在开槽石英舟上的硅片）以及高纯水蒸气或高纯干燥氧气的气源组成。氧化温度一般控制在900到1200度之间，气流速率通常约为1L/min。氧化系统采用微处理器来调控气体流入顺序，控制硅片的自动推入及拉出，控制炉温自动从低温线性地升高至氧化温度，使硅片不致因突然改变温度而翘曲，同时，还要保持氧化温度变化在 之间。 目录 4.1 薄膜淀积 4.2 替位式掺杂 4.3 降低载流子浓度形成波导 4.4 外延生长 4.5 电光波导 4.6 氧化 4.7 沟道波导的制造方法 4.7 沟道波导的制造方法 利用刻蚀的方法制造脊波导 波导层 衬底 光刻胶 步骤1：利用前面介绍的工艺方法制造出平板波导。 步骤2：在波导层上均匀涂上光刻胶，掩模，UV曝光。 步骤3:显影。 步骤4：对未受保护 区域进行刻蚀，然后去除表面光刻胶。 4.7 沟道波导的制造方法 刻蚀：把材料未掩模部分选择性地去掉。 湿法刻蚀---用化学溶液腐蚀无胶保护的膜，生成溶于水的副产物。 优点∶简单，成本低，选择比高。 缺点∶各向异性差，气泡阻碍，小线条速率慢，有底膜区难腐蚀。 方式∶浸没式、喷淋式。 干法刻蚀---用等离子体等方法选择刻蚀。 优点∶各向异性腐蚀,横向腐蚀小，适合刻细线条。 缺点∶设备复杂、成本高，表面有一定的损伤。 方式∶高压等离子体、反应离子刻蚀（RIE）、高密度等离子体（HDP）、离子束刻蚀（IBE） 4.7 沟道波导的制造方法 刻蚀的技术指