[工学]TTL与非门.pptVIP

2.4.1 TTL与非门 2.4.2 集成门电路电气特性及主要参数 2.4.3 抗饱和TTL与非门 2.4.4 其他类型的TTL集成门电路 2. 三态输出门电路（TS门） SBD有下述特点： 1.开启电压低，约为0.3～0.4V。 2.它几乎没有电荷存储效应，不会引起附加延迟时间。这是因为导电的多子 — 电子由N型半导体注入到金属直接成为漂移电流后形成正向电流，因此没有少子产生的存储电荷。 3.易于制造。制造工艺和TTL电路的常规工艺相容。 将SBD接入普通三极管的基极和集电极之间，可有效地抑制三极管进入深饱和状态。由图2.4.11可知，随基极偏置电流IB增加，T管将从放大状态进入饱和状态。集电极电位VC随IB上升而下降。当三极管CE之间的电压VCE降至0.3V时，VBC接近0.4V，SBD趋于导通，IB继续增加的部分将被SBD旁路，三极管T的饱和深度不会再增加，确保三极管工作在浅饱和工作状态。这样当三极管关断时从饱和转为截止的时间缩短了，从而使集成电路的开关速度得到提高。 提高电路开关速度的措施之二是增加了有源泄放电路。有源泄放回路由T6管和R6、R7组成，其主要作用如下： 当输入由低电平全部变成高电平时，与非门处于开态。这时T6基极通过R6接到T2发射极，而T5基极直接接到T2发射极。所以在跳变瞬间IE2绝大部分流入T5基极，使T5比T6优先导通，且使T5迅速饱和，从而缩短了开通时间ton。T5饱和后，IE2被T6分流，使T5基极电流减小，从而减轻了饱和程度，使T5处于浅饱和状态，为缩短存储时间ts创造了条件。 当输入由高电平变成低电平时，T2截止，T5、T6随之截止。但在T5存储电荷泄放前，T6仍导通，T6为T5存储电荷提供一条低阻泄放回路，从而使T5截止加速，缩短了ts及toff。 由以上分析可知，有源泄放回路加速了T5的导通和关断，从而提高了整个电路的开关速度。 为何要采用集电极开路门呢？ 　　推拉式输出电路结构存在局限性。 　　首先，输出端不能并联使用。若两个门的输出一高一低，当两个门的输出端并联以后，必然有很大的电流同时流过这两个门的输出级，而且电流的数值远远超过正常的工作电流，可能使门电路损坏。而且，输出端也呈现不高不低的电平，不能实现应有的逻辑功能。 1. 集电极开路门（OC门） 　推拉式输出级并联的情况 0 1 很大的电流 不高不低的电平：1/0? 其次，在采用推拉式输出级的门电路中，电源一经确定（通常规定为5V），输出的高电平也就固定了（不可能高于电源电压5V），因而无法满足对不同输出高电平的需要。 集电极开路门（简称OC门）就是为克服以上局限性而设计的一种TTL门电路。 (1)电路结构：输出级是集电极开路的。 1．集电极开路门的电路结构 (2)逻辑符号：用“◇”表示集电极开路。 集电极开路的TTL与非门 （a）电路 （b）逻辑符号 集电极开路 　　(3)工作原理： 　　当VT3饱和，输出低电平UOL＝0.3V； 　　当VT3截止，由外接电源E通过外接上拉电阻提供高电平UOH＝E。 　　因此， OC门电路必须外接电源和负载电阻，才能提供高电平输出信号。 　　(1) OC门的输出端并联，实现线与功能。 RL为外接负载电阻。 OC门的输出端并联实现线与功能 Y1 Y2 Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 Y1 =AB Y2 = CD 2. OC门的应用举例 　用OC门实现电平转换的电路 （2）用OC门实现电平转换 　　三态门电路的输出有三种可能出现的状态：高电平、低电平、高阻。 何为高阻状态？ 　　悬空、悬浮状态，又称为禁止状态。 　　测电阻为∞，故称为高阻状态。 　　测电压为0V，但不是接地。 　　因为悬空，所以测其电流为0A。 * * 2.4.1　TTL与非门 2.4.2 集成门电路电气特性及主要参数 2.4 TTL门电路 2.4.4 其他类型的TTL集成门电路 2.4.3　抗饱和TTL与非门 结束 放映 复习 什么是高电平？什么是低电平？ 什么是状态赋值？ 什么是正逻辑？什么是负逻辑？ 二极管与门、或门有何优点和缺点？ 2.3 TTL反相器 　　TTL集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管，所以称晶体管—晶体管逻辑门电路，简称TTL电路。 　　TTL电路的基本环节是反相器。 　　简单了解TTL反相器的电路及工作原理，重点掌握其特性曲线和主要参数（应用所需知识）。 　　每一个发射极能各自独立形成正向偏置的发射结，并可使三极管进入放大或饱和区。 多发射极三极管 1．TTL与非门的电路结构