[工学]模拟电路基础各章复习.ppt

第一章 晶体二极管及其应用 §1-1 半导体基础知识 半导体特性 §1-2 PN结原理 §1-3 二极管及应用 三.二极管的模型 器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。 二极管的伏安特性的分段线性近似模型 ⑴ 理想开关模型 (用于UON外加电压） 二极管 → 理想开关（如下图） 正偏时正向电压 = 0，反偏时反向电流 = 0 四.晶体二极管的电阻： 正向电压时： (1).OQ斜率的倒数是正向电阻R。 (2).R与Q有关，Q不同,R也不同 反向电压时：I很小，R很大。 (二).静态工作点： (2).MN的斜率: tg?= I/ U=-1/ RL (三).交流电阻： 作Q的切线，则有: rd=?U/?I; 或rd=dU/dI 因为： I=Ise U/ UT; 交流电导： g=dI/dU=I/(UT) 交流电阻：r=1/g= UT/I 室温（300K)下：UT=26mv 交流电阻：rd=26mV/ ID(mA) （很重要） (2)滤波电路 双向限幅电路：图1-30，设vi(t)=3sinωt ，VD=0.7V ※（请同学自行设计双向限幅为±2.1V的电路） 1.4.2.稳压管（重点） 稳压 管→专门工作在反向击穿状态的二极管。电路符号图（b），特性曲线图（a） 1.5. 二极管的电容和变容二极管（自学） (一).势垒电容CT: 把PN结看成平板电容器，加正向电压或反向电压时像电容的充放电。（此电容效应为势垒电容） (二).扩散电容CD: 扩散电容是由载流子在扩散过程中的积累引起的电容。 （三）变容二极管： 利用PN结势垒电容CT随外电压U的变化而变化的特点制成的二极管。 第二章 双极型晶体三极管(BJT) 第二章 双极型晶体三极管(BJT) 发射极的电路符号 三种偏置情况 BJT电路符号 IE=IB+IC BJT的三个工作区域 (1)饱和区：一般把输 出特性直线上升和弯曲部 分划为饱和区。 (2)放大区：BJT 输出 特性的平坦部分接近于恒 流特性，它符合?C=? ?B的 规律。 (3)截止区：一般把输 出特性?B = 0曲线以下的 部分称为截止区。 电流放大系数 共射极放大电路：直流： 交流： 共基极放大电路：直流： 交流： 2.极间反向电流集基反向ICBO穿透电流ICEO 4.极限参数(1)集电极最大允许电流ICM (2)反向击穿电压①V(BR)CEO ②V(BR)EBO ③V(BR)CBO (3)集电极最大允许功率损耗PCM 晶体管工作安全区(结束页) 一.放大电路的主要技术指标 根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求，放大器 可分为四种类型，所以有四种放大倍数的定义。 阻抗反映法(一种非常有用的方法): 方法:1)大电流支路的电阻折算到小电流支路时,阻值按比例变大; 2)小电流支路的电阻折算到大电流支路时,阻值按比例变小; 由电路分析可知，Ri’=rbe+(1+β )Re，见书。 为什么需要多级放大电路？ 一级放大器放大倍数不够，需要多级级联； 放大倍数满足要求，输入电阻或输出电阻不满足要求，也需要级联。 2. 多级放大器性能指标的计算 （1）电压放大倍数AV （2）输入电阻Ri (3)输出电阻RO 场效应管概述 1．跨导 gm 设MOSFET工作于放大区,定义: 2. 漏极内阻(交流输出电阻)rds 定义: 学习方法： 学习本章内容时，应特别注意使用比较和归纳的方法： .与三极管及其放大电路进行比较（两种管子的结构、工作原理、外特性、主要参数、小信号模型等的比较；两种器件组成的放大电路的直流偏置电路及静态、动态分析方法的比较；共射与共源、共集与共漏等放大电路性能的比较）。 重点掌握: N沟道增强型MOSFET (集成电路中广泛运用). λ－沟道长度调制参数(已知参数) (重点) 2、源电压放大倍数（源电压增益）Avs Avs=vo/us=（vo/vi）×（vi/vs）＝Av×Ri /(Rs+Ri) 3. 输入电阻Ri——从