[工学]电子技术基础教材第2版--第五章.pptVIP

第五章　模拟、数字综合应用案例 本章主要介绍既包含模拟电路又包含数字电路的两个综合案例，以及所涉及的基础知识。两个综合案例中的数控机床驱动器案例是由编者通过对一台实际数控机床驱动器解剖、分析，再自行设计、安装、调试成功后编写的，因此该案例内容具有很强的应用性和针对性。另一个内部通话系统案例是一个适合同学课外制作的题材，稍微涉及了一些有线通话系统方面的知识。 5.1场效应晶体管 5.1.1普通场效应晶体管 场效应晶体管简称FET(Field Effect Transistor)，它是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三极管，其主要特点是输入电阻高（≥107Ω）。它们都是由半导体中的多子来实现导电的，因此又称单极型晶体管。普通场效应晶体管有二类六种，它们分别是结型场效应晶体管，简称J－FET；绝缘栅型场效应晶体管，简称MOS－FET(Metal-Oxide-Simiconductor-FET)。其中结型场效应晶体管又分N沟道结型和P沟道结型二种，绝缘栅型场效应晶体管又分N沟道增强型，P沟道增强型，N沟道耗尽型，P沟道耗尽型四种。 1、六种普通场效应晶体管的名称、符号、转移特性曲线和输出特性曲线 六种普通场效应晶体管的名称、符号、转移特性曲线和输出特性曲线如图5.1所示。 2、场效应晶体管和双极型三极管的类比 双极型晶体管(NPN和PNP)在第一章中已作了比较详细的介绍，在双极型晶体管已经比较熟悉的情况下，通过把场效应晶体管和它类比，以示类同和区别，来达到对场效应晶体管特性、参数和应用方面内容的掌握。 (1)双极型晶体管的三个极分别称为集电极c，发射极e和基极b，而场效应晶体管的三个极分别称为漏极d，源极s和栅极g，如图5.2所示。 (2)双极型晶体管是电流控制电流器件，即Ic＝βIb；而场效应晶体管是电压(电场)控制电流器件，即Id＝gmugs(gm称跨导，后面将会讲到)。 (3)描述双极型晶体管工作特性用输入特性曲线和输出特性曲线，描述场效应晶体管工作特性用转移特性曲线和输出特性曲线。 注意：输入特性系指输入电流和输入电压之间的关系，双极型晶体管的输入特性为 |uce＝常数，其中ib是输入电流，ube是输入电压；而场效应晶体管的Ig＝0，场效应晶体管所讨论的是ugs对Id的控制作用，即Id＝f(ugs)｜uds＝常数，Id和ugs不是输入电流和输入电压之间的关系，而是转移后的输出电流和输入电压之间的关系。所以，ugs对Id的关系用转移特性来表述。 (4)描述双极型晶体管工作的三个区域为饱和区、放大区和截止区，同样，描述场效应晶体管工作的三个区域为可变电阻区、线性放大区(有些资料上，线性放大区用恒流区或饱和区表述)、夹断区或不导通区。 注意：场效应晶体管把线性放大区表述成饱和区时，和双极型晶体管所表述的饱和区是不对应的，意义也是不同的。场效应晶体管把线性放大区表述成饱和区系指ugs一定时，Id不随uds的变化而变化，漏极电流Id趋于饱和的涵义。 (5)双极型晶体管放大电路的基本组态为共射电路、共集电路和共基电路，类同于双极型晶体管，场效应晶体管的基本组态为共源电路、共漏电路和共栅电路，如表5.1所示。 (6)在求放大电路的输入电阻ri，输出电阻ro和电压放大倍数时，双极型晶体管和场效应晶体管放大电路都是通过先画出放大电路的微变等效电路后，再通过分析得到的。画微变等效电路时，都是用晶体管的低频小信号等效模型替代晶体管。双极型NPN晶体管、结型N沟道场效应晶体管和绝缘栅N沟道增强型场效应晶体管的低频小信号简化等效模型如表5.2所示。 3、场效应晶体管的主要参数 (1)夹断电压Up。如结型和绝缘栅耗尽型的转移特性曲线图所示的Up称为夹断电压，它是指当Uds为某一定时，使Id＝0，在栅源之间所加的电压。对于N沟道Up为负值，对于P沟道Up为正值(增强型没有Up)。 (2)开启电压UT。如增强型转移特性曲线中所示的UT称为开启电压，它是指增强型场效应晶体管在Uds作用下，漏源之间开始导通时的栅源电压。N沟道为正值，P沟道为负值。 (3)跨导gm(也称互导)。在Uds为常数时，漏极电流的微量变化和引起这个变化的栅源电压的微量变化之比值称为跨导。用数学公式表示为： (5-1) 跨导给出了栅源电压ugs对漏极电流Id的控制能力。gm的量纲为电导，即电阻的倒数，单位为S，称西门子。 场效应晶体管的gm一般在十分之几到几个mS的范围内。 (4)极限参数。场效应晶体管的极限参数和双极型晶体管类同，其中有： 最大漏源电压BUDS(即漏源击穿电压)； 最大栅源电压BUGS(即栅源击穿电压)； 最大漏源电流IDM； 最