[工学]第五章 晶体结构缺陷.pptVIP

②电荷补偿置换 BaTiO3 2PbCo0.5W0.5O3 2PbBa+CoTi″+WTi··+6OO 式中Co2+比Ti4+低二价，而W6+比Ti4+高二价，当用Co2+和W6+置换2个Ｔi4+之后，是数是平衡的，转换的离子个数也相同。 特点：溶解度极限比单独掺Co2+或W6+大，是掺杂改性的主要方法。产生的点缺陷是一般溶质或带电溶质。 ③形成正离子空位的置换 在外力?作用下，两部分之间发生相对滑移，在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向（伯氏矢量b），这样的位错称为混合位错。 位错线上任意一点，经矢量分解后，可分解为刃位错和螺位错分量。晶体中位错线的形状可以是任意的，但位错线上各点的伯氏矢量相同，只是各点的刃型、螺型分量不同而已。 （三）、混合型位错 图4-9 （a）混合位错的形成 （b）混合位错分解为刃位错和螺位错示意图 （c）混合位错线附近原子滑移透视图 由于位错线是已滑移区与未滑移区的边界线。因此，位错具有一个重要的性质如下： 一根位错线不能终止于晶体内部，而只能露头于晶体表面（包括晶界）。若它终止于晶体内部，则必与其他位错线相连接，或在晶体内部形成封闭线。形成封闭线的位错称为位错环。 阴影区是滑移面上一个封闭的已滑移区。显然，位错环各处的位错结构类型也可按各处的位错线方向与滑移矢量的关系加以分析，如A，B两处是刃型位错，C，D两处是螺型位错，其他各处均为混合位错。 晶体内偏离周期性点阵结构的二维缺陷称为面缺陷，主要有层错、小角晶界、晶界、相界等。晶体内部偏离周期性点阵结构的三维缺陷称为体缺陷，主要有包裹体、空洞、夹杂物，第二相等。 一、面缺陷 1、分类 （1）平移界面：界面一侧的结构可以通过界面另一侧的结构作一非点阵平移，如层错、结晶毁变面等。 第四节 面缺陷与体缺陷 （2）孪晶界面：界面一侧的结构可以通过界面另一侧结构施加结晶学反映。如以反演、旋转等获得的孪晶界、电畴界、磁畴界等等。 （3）位错界面：界面两侧的晶体存在小取向差，可以通过点阵旋转而使界面两侧的晶体相互重合，如亚晶界或小角晶界等。 2、平移界面 ①层错 层错是在密排晶体中原子面的堆垛顺序出现反常 所造成的面缺陷。 　　前面讨论晶体的密堆积方式时得到： （1）fcc（面心立方）晶体在平行于{111}面的原子排列顺序是ABCABCABC……。 （2）hcp（密排六方）晶体在平行于{0001}面的原子排列顺序是ABABAB……。 若由力学因素（如变形）或热力学因素（加热或 冷却）使堆垛顺序发生局部变化，形成如下几种新结 构： （1）插入型层错：插入一密排层，形成 ABCAB(A)CABC……。 （2）抽出型层错：抽去一密排层，形成 ABCABCBCABC……。 （3）孪生：对密排层，形成 ABCABCABCACBACBA……的排列。 由于错排是在整个界面上发生的，一般情况下要引起晶体能量的大幅度增加。 这些堆错了的新结构，相当于在面心立方晶体 中形成了薄层的hcp晶体，也称为堆垛层错。这些层 错对晶体的影响仅在于层错面两侧的晶体结构相应 于理想情况作了一个特定的非点阵相对平移，这种 平移在密堆积结构中并不改变原子最近邻的关系， 只产生次近邻的错排，而且几乎不产生畸变，所以 是一种低能量的面缺陷。除密堆积结构外，其它类 型的晶体也可能出现层错，如金刚石结构和闪锌矿 结构的{111}面在外延生长过程中，将会出现层错。 ②结晶切变面 常出现于非化学计量化合物中。 在非计量化合物中，当偏离较大时，光靠点缺陷来容纳组分的偏离是远远不够的。许多过渡氧化物晶体，氧与金属的原子比，可以有很大的范围。 为了解释此类现象，Wadsley提出一种通过局域形成共氧原子配位八面体的方式改变氧/金属比的模型：沿某些低指数面将化学配比晶体中的氧原子层抽出，然后再将两半晶体通过切变式的位移吻合起来。这一过程使晶体中的氧八面体由共顶角变为共棱边，或者由共棱边变为共面。（如图2-2-39）。每个氧原子配位数保持不变，但氧/金属比则相应降低了。这种情况下形成的面缺陷称为结晶切变面。 3、孪晶界面 天然晶体或人工晶体在生长过程中，以及晶体在经历相变时，都有可能产生结构上取向上不同的排列，从而形成由不同取向的单晶区组成的孪晶（即双晶）。 孪晶各区之间的相对方位关系，是通过一个对称要素互相联系起来的，这个对称要素如果是一个对称轴，则称为“孪晶轴”；如果是一个面，则称为“