III-V族多元化合物半导体.PDFVIP

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2018-02-16 发布于天津
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III-V族多元化合物半导体

第8章 III-V族多元化合物半导体第8章 III-V族多元化合物半导体吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料杂质工程和能带工程杂质工程：通过对杂质及其浓度在半导体中空间分布的有效控制来实现半导体的实用价值。原位掺杂：在制备材料中掺入杂质常规掺杂：采用掺杂合金、扩散、离子注入后掺杂：已制成的晶锭、晶片、薄层中引嬗变掺杂：将半导入杂质体中的同位素嬗变吉林大学电子科学与工程学院为杂质半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料扩散和离子注入是两种最常用的常规掺杂方法适用于对半导体晶片或薄层进行局部电阻率控制或载流子寿命控制是器件制造的核心工艺吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料扩散基本的工艺过程吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料离子注入注意：在注入过程中硅片保持在室温，然而注入后需要进行激活（大于900度）以减少缺陷吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料杂质工程和能带工程能带工程：对材料的能带结构进行合理的 “裁剪”（包括带隙、带结构），实现半导体更加丰富多彩的实用价值。主要内容包括：固溶体半导体材料超晶格、量子结构材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 1、固溶体半导体材料固溶体半导体概念固溶体基本特征带隙展宽