N2及H2气氛热处理对氧化锌掺杂氟化镁薄膜光电特性之研究-YOKE.PDFVIP

N 及 H氣氛熱處理對氧化鋅摻雜氟化鎂薄膜光電特性之研究 2 2 李孟賢,林天財,劉定杰,劉時郡張慎周, 崑山科技大學 電機工程學系 摘要 利用射頻磁控濺鍍技術成長氧化鋅 (Zinc oxide,ZnO)摻雜氟化鎂 (Magnesium fluorine,MgF ) ，形成ZnO:MgF 2 2 在載玻片上 ，經由氮氣及氫氣氣氛退火 ，探討薄膜 光電特性的影響 。由結果知在不同氣體退火溫度下 ，薄膜經 由 XRD 量測皆具有 (002)從優取向 ，使用四點探針量測薄膜之電阻率為 1.027×10-3Ω-cm ，薄膜在可見光波段 (400~800nm)之穿透率平均約為 90% ，經由公式推算其薄膜之光學能隙由未退火時 之 3.29eV 提高至退火後的 3.45eV ，有明顯藍移的現象 。 關鍵字 射頻磁控濺鍍: 、氧化鋅 、氟化鎂 、熱處理 一、前言 同時讓光學能隙寬化 ，故 本研究使用MgF靶材進行 2 氧化鋅 （ZnO ）因為其原料容易取得 、價格便宜且沒有 共濺鍍改變， 不同氣體退火溫度對ZnO 薄膜之光電性 毒性，是一種應用極廣的薄膜材料 。對於平面顯示器的透明 質影響 。 導電膜而言 ，ZnO膜之表面平整是其優點 ，但要改善 ZnO 本實驗所成長之 ZnO 薄膜並不導電 ，但摻雜 - -2 的電阻值是一項重要的研究課題 。 MgF 之後變成導體 ，其導電機制為 F取代 O ，使薄 2 在改善 ZnO 導電特性的眾多方法中，最常見的方 膜產生一個電子而變成導體 (9,10) ，由公式 [1可得知其] 法為摻雜取代，摻雜來改善ZnO 導電特性。其方法有 取代情形 ，公式(2)為 ZnO:MgF2 薄膜導電的表示式。 兩種，第一種是摻雜比原化合物的陽離子多一價數的 O ＋ - F  FO ＋ e [1] (1) 金屬陽離子，例如在氧化銦錫摻錫的 ITO膜 ；或是 ZnO + - MgF2  MgZn +2 FO + 2e [2] 比原化合物的陰離子多一價的非金屬離子，如氧化錫 + - (2) 和 分別代表有效正電荷和負電荷 ；符號 MgZn 代 中摻雜氟氣的