[材料科学]5 电导.ppt

第五章 无机材料的电导 5.1 电导的物理现象 5.2 离子电导 5.3 电子电导 5.4 玻璃态电导 5.5 无机材料的电导 （II）中氧分压区 P＞＞2[VO··]，n ＞＞ 2[VM’’]，电中性条件简化为 n=p 则 （III）低氧分压区 P＜＜2[VO··]，n ＞＞ 2[VM’’]，电中性条件简化为 n= 2[VO··] 则 Kroger-Vink图（Ki＞Ks时点缺陷浓度与氧分压关系图） Ki＜Ks （I）高氧分压区电中性条件为2[VM’’]=p （II）中氧分压区电中性条件为[VM’’]=[VO··] （III）低氧分压区电中性条件为n=2[VO··] Kroger-Vink图（Ki＜Ks时点缺陷浓度与氧分压关系图） 2、杂质的影响 掺一价阳离子杂质Lm’，其电中性条件为 掺三价阳离子杂质Nm.，其电中性条件为 Ki＞Ks且[NM·]＞Ki1/2 （1）三价阳离子的影响 （I）高氧分压区，电中性条件近似为2[VM’’]=p （II）次高氧分压区，电中性条件近似为2[VM’’]=[NM’] （III）中氧分压区，电中性条件近似为n=[NM’] （IV）低氧分压区，电中性条件近似为n=2[VO··] 掺三价阳离子的Kroger-Vink图（Ki＞Ks） Ki＞Ks且[LM·]＞Ki1/2 （1）一价阳离子的影响 （I）高氧分压区，电中性条件近似为2[VM’’]=p （II）次高氧分压区，电中性条件近似为[LM’]=p （III）中氧分压区，电中性条件近似为[LM’]=2[VO··] （IV）低氧分压区，电中性条件近似为n=2[VO··] 掺一价阳离子的Kroger-Vink图（Ki＞Ks） 3、温度的影响 反应平衡常数与焓变的关系 若Ki＞Ks，中氧分压区，电中性条件为n=p 若令ΔH:ΔHi:ΔHs=1:2:3，则有lnn-1/T，lnp-1/T，ln[VM’’]-1/T，ln[VO’’]-1/T图的斜率分别为-ΔH/k， -ΔH/k，ΔH/k， -4ΔH/k， 中氧分压区，温度升高时， n， p，[VO’’]都增大，其中[VO’’]急剧增大；而[VM’’]减小 5.4 玻璃态电导 玻璃中碱金属离子的能阱不是单一数值，而是有高有低。 纯净玻璃电导率很低，但如果含有碱金属离子则电导率增加（碱金属在结构松散的玻璃中成为离子载流子）。当碱金属离子浓度较低时，电导率随碱金属离子浓度升高成直线增加，当碱金属离子浓度较高时，电导率随碱金属离子浓度升高成指数增加（玻璃结构更加松散）。 迁移数：指定种类载流子所运载的电流与总电流之比。 离子迁移数： ti=σi/σ=σi/(σi+σe) 电子迁移数： te=σe/σ=σe/(σi+σe) 通常把ti＞99%的导体称为离子电导体 5.3 电子电导 导体或半导体中发生电子电导 电子电导的载流子为电子或空穴。 绝对零度下（0K），理想晶体具有严格周期性电场，电子运动不受阻力，迁移率无限大（超导），周期性电场遭破坏后（晶格热震动、杂质、位错、裂纹等），电子运动受到阻碍。 一、电子迁移率 （1）金属中自由电子的运动，量子化特征不显著，是连续的 在电场E下自由电子运动的加速度为 通常导体都有电阻（晶格热震动、杂质、位错、裂纹等的散射），电子不会一直加速运动，在受到散射时，碰撞瞬间电子向四面八方散射，平均速度为0，在电场作用下又继续从0加速运动直到下一次碰撞（散射）。 （me为自由电子质量） 设两次碰撞之间的平均时间间隔为2τ，则电子的平均速度为： 自由电子迁移率： τ与温度及缺陷多少有关。温度越高，晶格振动越剧烈，电子散射几率越大，每两次碰撞之间的平均时间间隔越短，即τ越小；缺陷越多，周期电场的破坏越严重，电子散射几率也越大，τ同样减小。 （2）半导体和绝缘体中电子不是自由的，电子运动的能量是量子化的，需用量子力学理论来描述。 电子前进的速度： γ为德布罗意波的频率，k为 波数 因为E=h γ，则 加速度 设在电场E0下，电子在dt时间内能量增加为dE 可推出 则加速度 经典力学形式 m*为电子有效质量 对于自由电子me=m*，对于非金属晶体中的电子，m*与me不同，m*决定于电子与晶格的相互作用强度 一维周期场中电子能量与波数的关系 I区：自由电子 II区：电子质量为负 III区：禁带 IV区：轻电子 晶格场中的电子迁移率 根据此式，电子的迁移率取决于载流子平均自由运动时间和电子有效质量。 对于半导体材料，其内部电子和空穴的有效质量随材料的不同而不同，平均自由运动时间由载流子散射强弱决定，散射越弱，τ越大。 散射原因（1）晶格散射 T↑μ↓