多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究-Solarbe.PDF

第 卷第 期 功能材料与器件学报 $ d3=T $J S3T 年 月 ’## ’ c-WLSUV -P PWSMR.-SUV UR2L.UV, USY Y2d.M2, Y@:TJ ’## 文章编号 ) * ! ##$ % ’(’ ’## # % #+(( % #( 多孔硅外延层转移制备,-. 材料的研究 刘卫丽 多新中 张 苗 沈勤我 王连卫 林成鲁 J J J J J ) 中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室，上海 ’###(# * 摘要 用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 材料，卢瑟福背散射 沟道谱) L1,K M * 和 ! ,-. K 扩展电阻) * 的结果表明获得的 材料上层硅具有很好的单晶质量，电阻率分布均匀，上层 ,NL ,-. 硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究，结果表明 型重掺杂的硅衬底 N 在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能，用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单 晶硅，并且，在一定浓度的OPK O - 溶液中具有较高的腐蚀选择率，保证了上层硅厚度的均匀性。 ’ ’ 关键词 绝缘体上的硅 多孔硅 外延 ! Q Q 中图分类号： 文献标识码 RS +#T #(( ! U !# $%’()%* +%,()-%’. ,/ 01)23 ’4)%5)%* *%/’( (%21+’( 6+ 46(601 1)*)-62 V.W X@6 % =6J YW- ?64 % Z;347J [OUS\ 683J ,O2S ]64 % ^3J XUS\ V684 % ^@6J V.S M;@47 % =I ) ,989@ _@D V8C3B893BD 3G PI4:96348= 89@B68=‘ G3B .4G3BE896:‘J ,;847;86 .4‘969I9@ 3G @98==IB7DJ M;64@‘@ U:85@ED 3G ,:6@4:@‘J ,;847;86 ’###(#J M;648 * 7,1(%-! ,-. E89@B68= ^8‘ ‘I::@‘‘GI==D G8CB6:89@5 CD I‘647 @A698H68= =8D@B 9B84‘G@B 3G A3B3I‘ ‘6=6:34T R;@ B@‘I=9 3G LI9;@BG3B5 C8:‘:899@B647 ‘A@:9B3‘:3AD 845 :;844@=647 ) L1,K M* ‘;3^‘ 9;89 9;@ :BD‘98= % =64@ aI8=69D 3G 93A ,6 =8D@B 6‘ 7335T ,AB@85647 B@‘6‘984:@ AB3C@ 9@:;43=3