[理学]第三章 半导体 刘恩科.ppt

第三章习题 当ND＜＜ni时: 靠近本征区一边 4. 本征激发区 （高温） n0 ?? ND, p0 ?? NA n型Si中电子浓度n与温度T的关系： 杂质离化区 过渡区 本征激发区 ni ND 0 ni T n n 型硅中电子浓度与温度关系 n 200 400 600 P型半导体的载流子浓度和费米能级 1. 低温弱电离区 4. 本征激发区 T↑，EF↑ 3. 过渡区 po=NA，no=ni2/NA 2. 饱和电离区 计算掺杂半导体的载流子浓度时，需首先考虑属于何种温区。 一般：T：300K左右，且掺杂浓度＞＞ni 属于饱和电离区 注意： N型：no=ND—NA 或 no=ND P型：po=NA—ND 或 po=NA 三、工作温区（强电离区）的确定 1.??已知工作温度(Tmin—Tmax)确定掺杂范围(ND)min—(ND)max ?由Tmax确定(ND)min ● 根据Tmax，由lnni ~1/T曲线查出 Tmax对应的ni； ● 根据ni的公式计算出Tmax所对应的ni； 要达到全电离，要求ED＞＞EF 由Tmin确定(ND)max 在强电离区： 一般：D－= 0.1，达到全电离。 室温时：NC=2.8×1019/cm3，△ED=0.044ev (ND)max=3×1017/cm3 (ND)min=10ni(500K) 查表得：T=500K时，ni=5×1014/cm3 (ND)min=5×1015/cm3 例：计算工作温度在室温到 500K 的掺 P 的 Si 半导体的施主浓度范围。 工作温区=强电离区 Tmin=300K，Tmax=500K 三、本征半导体在应用上的限制 ●纯度达不到 本征激发是载流子的主要来源 （杂质原子/总原子 ＜＜ 本征载流子/总原子） Si：原子密度 1023/cm3，室温时，ni =1010/cm3 本征载流子/总原子=1010/1023=10-13＞杂质原子/总原子 要求Si的纯度必须高于99.9999999999999%！ ●本征载流子浓度随温度变化很大 在室温附近： Si: T ↑， 8K ni↑ 一倍 Ge: T ↑， 12K ni↑ 一倍 ●本征半导体的电导率不能控制 电子占据 ED 的几率: 空穴占据 EA 的几率: §3.6 非简并杂质半导体的载流子浓度 一、杂质能级上的电子和空穴浓度 若施主浓度和受主浓度分别为 ND、NA， 则施主能级上的电子浓度 nD 为： — 未电离的施主浓度 电离的施主浓度 nD+ 为： 受主能级上的空穴浓度 pA 为： 电离的受主浓度 pA－为： － 没有电离的受主浓度 ● EF－EA＞＞kT ● EA－EF＞＞kT pA→0，pA－ →NA，受主几乎全电离 ● EF=EA pA→NA，pA－ →0，受主几乎都未电离 EF 高时，受主全电离；EF 低时，受主未电离； 施主相反，EF 高时，施主未电离；EF 低时，施主全电离。 EF →杂质的电离 →导带电子或价带空穴 内在联系 二、杂质半导体载流子浓度和费米能级 带电粒子有： 电子、空穴、电离的施主和电离的受主 电中性条件： no + pA－ = po + nD+ 1. 低温弱电离区 温度很低，kT＜△ED＜＜Eg， 本征激发很小 对 n 型半导体 含有 ND、NA 两种杂质，但 ND＞NA 因 ND ＞NA，价带空穴主要来源于本征激发， 而本征激发很小，所以po? 0 可忽略。 电中性条件可简化为： no + pA－ = nD+ 施主部分电离，EF 在ED 附近， EF＞＞EA，受主全电离， pA－ = NA ∵ nD+=ND－nD ∴no= nD+ － pA－ ＝ND－nD－NA 将 nD 代入，并移项后，得： 令 两边同乘： no＜＜NC，kT ln（no/NC）＜0 ? EF＜EC 费米能级 NA=0 ●no，EF ∵温度很低， 很小 ● n0 ～ T 的关系 对 no 的表达式取对数： lnno≈ 常数 －△ED/(2kT) 1/T lnn0T-3/4 -△ED/(2k) ● EF ～ T 的关系 T→0K时，NC→0， 但： 费米能级位于导带底 和施主能级的中线处 说明 EF 上升很快 T↑，NC↑，dEF/dT↓，说明 EF 随 T 的升高而增大的速度变小了。 但： 当T↑↑，达到 Tmax时： EF 达到最大值： 当T ＞Tmax 后， 当T=T1 时： 当ND↑时，EF ～ T的变化规律不变， 但Tmax↑，EFmax ↑ 中间电离区 T E EC ED EF NC = 0.11 ND 低温弱电离区 EF 与 T 的关系 2. 饱和电离区 —杂质全部电离，本征激发仍很小 同时含有