晶格缺陷热处理和吸杂晶格缺陷热处理和吸杂.PDF

上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 第二章第二章 第二章第二章 晶格缺陷热处理和吸杂晶格缺陷热处理和吸杂 晶格缺陷热处理和吸杂晶格缺陷热处理和吸杂 在这一章里我们将讲述三个相互独立但又相互联系的问题，它们是晶格缺陷，热处理和吸 杂。其中对缺陷的讨论限定在单晶硅重要的结构缺陷上。热处理是指为了满足VLSI对硅片材料 性质的要求，而把硅片放入已升高温度的环境中 （有时环境中还预先通入某种特殊种类的气体） 来实现对其各种性质的改变。热处理是许多工艺中的一部分，根据应用的需要，可以安排在各 个步骤之前，之后或中间。我们是基于大量的考虑后决定在这本书的这个部分来对热处理进行 讨论的。首先，热循环是许多吸杂方法中不可缺少的手段。其次，在许多其它的处理步骤中都 要使用热处理，所以提前对其作一个讨论是有益的。最后，快速热处理 （RTP）是一种相对较 新的技术，它的应用仍在不断的拓展中。所以，与其在离子注入或扩散的章节中把热处理作为 一个特殊的处理步骤来讲，还不如将其单独拿出来讨论的好。吸杂是一个专用术语，用来描述 为了把缺陷或杂质从硅片上要制备器件的区域中去掉而采用的各种处理技术。 本章只讨论单晶硅的缺陷，我们将从各个方面对“缺陷”这个术语作概括的说明。尽管在许多 特殊的场合都要使用“缺陷”这个术语，但了解它的最通常的含义是必要的。“缺陷”是指所有能对 成功的制备微电子器件产生影响的材料，处理过程和设计方面的毛病。表1给出了部分在VLSI 生产中会遇到的典型的缺陷类别。要获得有关该类缺陷的内容，可按其后所给出的章节序号查 找对应的章节。 表表1VLSI器件制备中在的缺陷类别器件制备中在的缺陷类别 表表 器件制备中在的缺陷类别器件制备中在的缺陷类别 －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ 晶格缺陷 chap.2 氧化诱发层错 chap.2,5 微粒 chap.15 针孔，划痕和缺口 chap.1 沾污 chap.15 金属化薄膜中的小丘 chap.10 掩膜错误和伤痕 chap.13 外延层中的尖端，畸变和层错 chap.5 光刻胶中气泡和线条 chap.12 －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ 硅的晶格缺陷硅的晶格缺陷 硅的晶格缺陷硅的晶格缺陷 1 真空吸笔真空吸笔 ‖理片机‖理片机 ‖倒片机‖倒片机 ‖金属片架‖金属片架 ‖取舟器石英舟‖取舟器石英舟/取舟器/取舟器 ‖外延石英钟罩‖外延石英钟罩 ‖定制工具‖定制工具 ‖净花及防静电用品‖净花及防静电用品 真空吸笔真空吸笔 ‖‖理片机理片机 ‖‖倒片机倒片机 ‖‖金属片架金属片架 ‖‖取舟器石英舟取舟器石英舟//取舟器取舟器 ‖‖外延石英钟罩外延石英钟罩 ‖‖定制工具定制工具 ‖‖净花及防静电用品净花及防静电用品 上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 在第一章中讲到，实际的晶体由于存在一定的缺陷而有别于完美晶体，这些缺陷有的是不 可避免的，因为它们由在晶体中制备器件所必须的掺杂原子引起。尽管有些晶格缺陷如果密度 适中会是有用的。但对大部分缺陷来说，无论其存在的密度的大小，只要在晶体中存在便是有 害的。按几何形状划分晶格缺陷的结果列于表2 中。它们包括零维的 （点缺陷），一维的 （线缺 陷），两维的 （面缺陷）和三维的 （体缺陷）。在后序的部分里我们将把表中的内容扩展开来 讲解，逐一描述缺陷的结构，形成和移动的机理，以及通常用来表明它们的术语的定义。有关 这些缺陷对器件运行影响的数据，表征它们的方法和缺陷的特性也将被提及。 点缺陷点缺陷 点缺陷点缺陷 图。1B展示了各种点缺陷的形成。在晶体中没有缺陷的部分，每一个