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第七章答案 武汉理工大学 陆佩文 课后答案
第七章答案
7-1 略
7-2 浓度差会引起扩散,扩散是否总是从高浓度处向低浓度处进行?为什么?
解:扩散是由于梯度差所引起的,而浓度差只是梯度差的一种。当另外一种梯度差,比如应力差的影响大于浓度差,扩散则会从低浓度向高浓度进行。
7-3 欲使Ca2+在CaO中的扩散直至CaO的熔点(2600℃)时都是非本质扩散,要求三价离子有什么样的浓度?试对你在计算中所做的各种特性值的估计作充分说明。已知CaO肖特基缺陷形成能为6eV。
解:掺杂M3+引起V’’Ca的缺陷反应如下:
M2O3 2MCa·+3Oo+VCa〞
当CaO在熔点时,肖特基缺陷的浓度为:【VCa〞】=5.452×10-6
欲使Ca2+在CaO中的扩散直至CaO的熔点(2600℃)时都是非本质扩散,M3+的浓度为【M3+】=【MCa· 】=X,则由【VCa〞】=1/2X,1/2X﹥5.452×10-6
得X=1.09×10-5,即【M3+】=1.09×10-5
7-4 Zn2+在ZnS中扩散时,563℃时的扩散系数为3×10-4cm2/s;450℃时的扩散系数为1.0×10-4cm2/s,求:(1)扩散活化能和D0;(2)750℃时的扩散系数;(3)根据你对结构的了解,请从运动的观点和缺陷的产生来推断活化能的含义;(4)根据ZnS和ZnO相互类似,预测D随硫的分压而变化的关系。
解: (1)由D=D0exp(-Q/RT)得Q=48856J/mol,D0=3×10-15cm2/s;
(2)把T=1023K代入中可得D0=9.6×10-4cm2/s;
7-5 在某种材料中,某种粒子的晶界扩散系数与体积扩散系数分别为Dgb=2.00×10-10exp (-19100/RT)cm2/s和Dv=1.00×10-4exp(-38200/RT)cm2/s,试求晶界扩散系数和体积扩散系数分别在什么温度范围内占优势?
解:当晶界扩散系数占优势时有DgbDv,即2.00×10-10 exp(-19100/RT)1.00×10-4exp(-38200/RT),所以有T1455.6K;当T1455.6K时体积扩散系数占优势。
7-6 碳、氮、氢在体心立方铁中的扩散活化能分别为84kJ/mol、75kJ/mol和13kJ/mol,试对此差异进行分析和解释。
解:碳、氮、氢的原子半径依次减小,原子半径越小就越更容易在体心立方的铁中通过空隙扩散,扩散活化能相应也就越低。
7-7 试分析离子晶体中,阴离子扩散系数-般都小于阳离子扩散系数的原因。
解:离子晶体一般为阴离子作密堆积,阳离子填充在四面体或八面体空隙中。所以阳离子较易扩散。如果阴离子进行扩散,则要改变晶体堆积方式,拆散离子晶体的结构骨架,阻力就会较大。故离子晶体中,阴离子扩散系数-般都小于阳离子扩散系数。
7-8试从结构和能量的观点解释为什么D表面D晶面D晶内。
解:固体表面质点在表面力作用下,导致表面质点的极化、变形、重排并引起原来的晶格畸变,表面结构不同于内部,并使表面处于较高的能量状态。晶体的内部质点排列有周期性,每个质点力场是对称的,质点在表面迁移所需活化能较晶体内部小,则相应的扩散系数大。同理,晶界上质点排列方式不同于内部,排列混乱,存在着空位、位错等缺陷,使之处于应力畸变状态,具有较高能量,质点在晶界迁移所需的活化能较晶内小,扩散系数大。但晶界上质点与晶体内部相比,由于晶界上质点受两个晶粒作用达到平衡态,处于某种过渡的排列方式,其能量较晶体表面质点低,质点迁移阻力较大因而D晶界D表面。
7-9 比较杨德方程、金斯特林格方程优缺点及适应条件。
解:两个方程都只适用稳定扩散的情况。杨德尔方程在反应初期具有很好的适应性,但杨氏模型中假设球形颗粒截面始终不变。因而只适用反应初期转化率较低的情况。而金斯格林方程考虑了在反应进程中反应截面面积随反应过程变化这一事实,因而金氏方程适用范围更广,可以适合反应初、中期。
7-10粒径为1μm球状Al2O3由过量的MgO微粒包围,观察尖晶石的形成,在恒定温度下,第1h有20%的Al2O3起了反应,计算完全反应的时间。(1)用杨德方程计算;(2) 用金斯特林格方程计算。
解:(1)用杨德尔方程计算: 【1-(1-G)1/3】2=kt k=【1-(1-G)1/3】2/t
代入题中反应时间1h和反应进度20%,得k=5.138×10-3h-1
故完全反应(G=1)所需的时间t=1/k=1/(5.138×10-3)=194.62h
(2)用金斯格林方程计算:1-2/3G-(1-G)2/3=kt k=【1-2/3G-(1-G)2/3】/t
同理,代入题中反应时间1h和反应进度20%,得k=4.893×10-2h-1
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