试题二 低频.docVIP

试题二 一、单项选择题： 1.下面各电路器件符号，哪个表示的是晶体二极管？___________ 2.下面各电路器件符号，哪个表示的是晶体三极管？___________ 3.晶体二极管具有___________特性。 A.单向导电 B.集电极电压饱和 C.双向导电 D.集电极电流截止 4.二极管两端加上正向电压后有一段死区电压。锗管为______V伏）。 A.0 B.0.3 C.0.4 D.0.7 5.二极管两端加上正向电压后有一段死区电压。硅管为____V（伏）。 A.0 B.0.3 C.0.4 D.0.7 6.一个三极管若放弃集电极不用，那么基极和发射极之间可当作____器件使用。 A.晶体三极管 B.晶体二极管 C.固定电阻 D.大容量电容 7.一个三极管工作在交流信号放大状态，应使其发射结处在__①__偏置状态下，集电结处于__②__偏置状态下。答：__________ A.①零②正向 B.①零②反向 C.①正向②反向 D.①反向②正向 8.一个PNP型晶体三极管，工作在放大状态时，其集电极应当接_①_电压；一个NPN型晶体三极管，工作在放大状态时，其集电极应当接_②_电压。答：______ A.①-（负）②+（正） B.①+（正）②0（零） C.①0（零）②+（正） D.①+（正）②-（负） 9.工作在放大区的三极管，当IB从20μA增大至40μA时，IC从1mA变为2mA，其β值约为______。 A.50 B.100 C.500 D.1000 10.一个三极管放大电路，IB=60μA，IC= 2mA,β值50，这个三极管在什么状态？答：____。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿 11.工作在放大区的三极管，已知值100,IB20μA，IE约为____mA。 A.1 B.2 C.3 D.4 12.工作在放大区的三极管，已知β值100，IB20μA，IE等于____。 A.IC B.IB C.IB×β D.IC+IB 13.工作在放大区的三极管发射极IE为1mA，基极IB40μA，则集电极IC等于____。 A.IE×β B.IE-IB C.IE÷IB D.IE+IB 14.一个放大器输入端输入50mV的正弦交流电，从输出端测量其电压为1V，则其电压放大倍数为____。 A.20 B.100 C.200 D.1000 15. 以上公式所求的值是________。 A.β(电流放大倍数) B.K(电压放大倍数) C.集电极电流 D.基极电流 16.一个放大器输入电阻越大,对信号源的影响则__①__；输入电阻越小,对信号源的影响则__②__。答：_________ A.①大②小 B.①小②大 C.①小②小 D.①大②大 17.一个单管放大器若RC（集电极负载电阻）两端电压约等于电源电压，则该放大器的三极管处于______状态。 A.截止 B.饱和 C.放大 D.击穿 18.一个单管放大器电源电压6V，发射结正向偏置后，若Vbe等于电源电压则该放大器的三极管的发射结内部可能处于____的状态。 A.放大 B.开路 C.截止 D.击穿 19.一个单管放大器电源电压6V，发射结正向偏置后，若Vcb等于电源电压的1/2，则该放大器的三极管可能处于____状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿 20.一个单管放大器电源电压6V，发射结正向偏置后，若Vc约为0.6V，Ve为0.4V,若Vb为1.1V,则该放大器的三极管可能处于____状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿 二、多项选择题：（每题至少两个正确答案） 1.下面电路，设二极管为理想二极管，判断下列情况下，二极管的导通情况是___________ A.VDD1=6V VDD2=12V B.VDD1=6V VDD2=-12V C.VDD1=-6V VDD2=-12V D.VDD1=-6V VDD2=12V 2.下面电路，设二极管为理想二极管，判断下列情况下，二极管D1与D2都导通的情况是_________。