石墨烯材料的热电光特性之研究及其覆晶式氮化镓系发光二极体之应用.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 石墨烯材料的熱電光特性之研究及其覆晶式氮化鎵系發光 二極體之應用 研究成果報告(精簡版) 計 畫 類 別 ： 個別型 計 畫 編 號 ： NSC 100-2221-E-027-057- 執 行 期 間 ：100年08月01日至101年07月31日 執 行 單 位 ：國立臺北科技大學光電工程系（所） 計 畫 主 持 人 ： 陳隆建 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：黃建中 碩士班研究生-兼任助理人員：王雅欣 博士班研究生-兼任助理人員：田青禾 博士班研究生-兼任助理人員：陳正強 博士班研究生-兼任助理人員：林文瑋 報 告 附 件 ： 出席國際會議研究心得報告及發表論文 公 開 資 訊 ： 本計畫涉及專利或其他智慧財產權，1年後可公開查詢 中 華 民 國 101 年 10月 04 日 中 文 摘 要 ： 本研究係以射頻反應式磁控濺鍍法分別在玻璃及藍寶石基板 上成長多層石墨烯(multi-layer graphene)。藉由改變射頻 功率來探討濺鍍參數對於多層石墨烯薄膜特性的影響。對於 薄膜特性之分析，利用SEM、XRD及拉曼光譜分別探討表面結 構分析、元素成分和分子結構。以及利用四點探針量測片電 阻值，並分別探討不同溫度熱退火其差異性。實驗結果發 現，在真空下，退火溫度達800 ℃時，其片電阻值2.2 KΩ/□，為最佳參數。完成多層石墨烯特性量測之後，並使 用射頻反應式磁控濺鍍法，依序沉積銀、鎳薄膜及多層石墨 烯在p-GaN磊晶層上，製作與探討傳輸線模型(Transmission Line Model, TLM)與p-GaN之間的歐姆接觸特性。實驗結果 顯示，Ag/Ni/graphene/p-GaN在真空環境下經過700 ℃退火 10分鐘，有最低特徵電阻值，約1.03×10-3 Ω-cm2。 中文關鍵詞： 多層石墨烯、射頻反應式磁控濺鍍法、p-GaN、特徵接觸電阻 英 文 摘 要 ： 英文關鍵詞： 石墨烯材料的熱電光特性之研究及其覆晶式氮化鎵系發光二極體之應用 陳隆建田青禾 陳正強 林文瑋 王雅欣黃建中 國立臺 北科技大學 光電工程系 台北市忠孝東路三段 1號 (ocean@ntut.edu.tw, NSC 100-2221-E-027-057) 摘要本研究係 以射頻反應式磁控濺鍍法分別在玻璃及藍寶石基板上成長多層 石墨烯 (multi-layer graphene) 。藉由改變射頻功率 來探討濺鍍參數對於多層石墨烯薄 膜特性的影響。 對於薄膜特性之分析，利用 SEM 、XRD及拉曼光譜分別探討表面結 構分析、元素成分和分子結構 。以及利用四點探針量測片電阻值，並分別探討不同 溫度熱退火其差異性。實驗結果發現，在真空下，退火溫度達 800 ℃時，其片電阻 值 2.2 KΩ/□ ，為最佳參數。完成多層石墨烯特性量測之後，並使用射頻反應式磁控 濺鍍法