等离激元光子和电子的集成.PDF

2012 光通信技术和发展论坛 Optical Communication Technology and Development Forum 2012 集成光电路：期许和挑战 EPIC Promise and Challenge 陈 益 新 上海交通大学 2012. 9. 7 深圳 2012-09 Chen EPIC promise and challenge 1 内 容 • 引言：硅光子学的崛起 • 硅集成光电路技术和应用 • 等离激元对EPIC的潜能 • 结束语：对策 2012-09 Chen EPIC promise and challenge 2 信息领域器件技术趋向 麻省理工学院微光子学中心于2005年出版的通信技术发展 报告中，评价了对电信业影响深远的光子技术新发展，有 四个主要论点： • 信息领域元器件技术未来的进展，将取决于电子和光子功 能的充分和有效结合 。 • 超大长度传输的光纤通信技术取得巨大成功，下一个应用 的重点将是短距离（1公里）的光互连。 • 此新动态将引发一次元器件产业重点导向的明显转变，从 信息传输（电信）转向信息处理（计算和成像）。 • 这个新领域所需的成套技术和工具，目前在任何单一的机 构并不现存和拥有，需要多方面的协同开发，提供开放使 用的统一工艺平台（代工线），具有重要作用。 来源：/ 2012-09 Chen EPIC promise and challenge 3 电子需要光子互补 • 电子技术越来越多地需要与光子相互集成，以保持“摩尔 定律”其性能提高的路线图。采用平行处理已经提供了每 十年1000倍的总系统性能，赶不上了每十八个月增加一倍 的摩尔定律速率。 • 每通道10Gb / s的数据传输速率意味着1m链接的虚拟阈 值，光互连较需要复杂补偿电路的电连接更容易实现。 • 除了互连，其它应用如：快速傅立叶变换、电子-光子相 结合的信号处理等，也明显呈现其价值。 • 由于这些原因，未来更多的不是光子取代电子，而是不断 发展二者功能的互补。 • 在近期内，一个有效的措施是利用CMOS芯片制造技术， 它能够将电子和光子作为信号载体、器件和功能回路实现 无缝集成。 来源：Proc. of SPIE Vol. 6125 612502 2012-09 Chen EPIC promise and challenge 4 硅用于EPIC的优势和不足 • 优势： – Si CMOS 集成电路的工艺技术成熟，成本低，是利用CMOS平台 开发EPIC最大的吸引力。 – CMOS平台的基板SOI可以构成优质光波导，Si和SiO2的折射率 分别为3.45和1.45，可使光子器件尺寸减小到数百纳米。 – Si的吸收光谱显示从1.1µm到7 µm的广宽波段损耗很低，对通信 和数据传输没有限制 – Si具有高机械性能、高热导（10倍高于GaAs ）、高光损伤阈值 （10倍高于GaAs ）以及高三阶光学非线性。 • 不足 – Si具有间接能带结构，因而实现硅光放大器和激光器往往被视为