纳米CeO抛光液的制备及其抛光性能研究.PDF

第３１卷第１期 矿　 冶　 工　 程 Ｖｏｌ．３１№１ ２０１１年０２月 ＭＩＮＩＮＧＡＮＤ ＭＥＴＡＬＬＵＲＧＩＣＡＬ ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ Ｆｅｂｒｕａｒｙ２０１１ 纳米 ＣｅＯ 抛光液的制备及其抛光性能研究① ２ １ ２ １，２ １ １ 谢圣中 ，王柏春 ，许向阳 ，王绍斌 ，翟海军 （１． 金瑞新材料科技股份有限公司，湖南 长沙４１００１２；２． 长沙矿冶研究院，湖南 长沙４１００１２） 摘　 要：在水体系中采用沉淀法制备了纳米ＣｅＯ 粉体，并用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ等对其晶体结构、粒度与形貌等进行了表征。 将所得 ２ 粉体配成水基纳米ＣｅＯ 抛光液，研究了其抛光硅片的性能与机理，并与纳米ＳｉＯ 抛光液作对比。 结果表明，粒度在１００ ｎｍ 以下的 ２ ２ ＣｅＯ 对硅片具有良好的抛光效果，抛光后硅片表面形貌有很大改观，表面划痕被抛掉，在面积１７２ μｍ×１２８ μｍ 的范围内得到了表 ２ 面粗糙度Ｒ 为０．６８９ ｎｍ 的超光滑表面。ａ 关键词：纳米ＣｅＯ ；化学机械抛光；硅片；粗糙度 ２ 中图分类号：ＴＧ１７４ 文献标识码：Ａ 文章编号：０２５３－６０９９（２０１１）０１－００７７－０４ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｎａｎｏｍｅｔｅｒ ＣｅＯ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ２ １ ２ １，２ １ １ ＸＩＥ Ｓｈｅｎｇ⁃ｚｈｏｎｇ ，ＷＡＮＧ Ｂｏ⁃ｃｈｕｎ ，ＸＵ Ｘｉａｎｇ⁃ｙａｎｇ ，ＷＡＮＧ Ｓｈａｏ⁃ｂｉｎ ，ＺＨＡＩ Ｈａｉ⁃ｊｕｎ （１． Ｋｉｎｇｒａｙ Ｎｅｗ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ Ｌｔｄ，Ｃｈａｎｇｓｈａ ４１００１２，Ｈｕｎａｎ，Ｃｈｉｎａ；２． Ｃｈａｎｇｓｈａ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｎｉｎｇ ａｎｄ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ，Ｃｈａｎｇｓｈａ４１００１２，Ｈｕｎａｎ，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｎａｎｏｍｅｔｅｒ ＣｅＯ ｐｏｗｄｅｒｓ ｗｅｒｅ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｉｎ ｗａｔｅｒ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｕｓｉｎｇ ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ｃｒｙｓｔａｌ ２ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｐａｒｔｉｃｌｅｓｉｚｅａｎｄｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙｗｅｒｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄｂｙＸＲＤ，ＳＥＭａｎｄＴＥＭ． Ｔｈｅｐｒｅｐａｒｅｄｐｏｗｄｅｒｗａｓｍａｄｅｉｎｔｏ ａｑｕｅｏｕｓ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｓｏｌｕｔｉｏｎ． Ｉｔｓ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ａｎｄ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｆｅｒ ｗｅｒｅ ｓｔｕｄｉｅｄ ａｎｄ ｃｏｍｐａｒｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｏｓｅ ｏｆ ｎａｎｏｍｅｔｅｒ ＳｉＯ ． Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗ ｔｈａｔ ＣｅＯ ｗｉｔｈｐａｒｔｉｃｌｅ ｓｉｚｅｌｅｓｓｔｈａｎ １００ ｎｍｈａｓａｎ ｅｘｃｅｌｌｅｎｔｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔ