[工学]5晶体缺陷改3.ppt

晶体结构缺陷 潘功配编，“固体化学”，南京大学出版社 B. Henderson著，范印哲译，“晶体缺陷”，高等教育出版社 缺陷产生的原因 点缺陷有时候对材料性能是有害的 锗酸铋 (BGO) 单晶无色透明，在室温下有很强的发光性能，是性能优异的新一代闪烁晶体材料，可以用于探测 X 射线、? 射线、正电子和带电粒子等，在高能物理、核物理、核医学和石油勘探等方面有广泛的应用。 BGO 单晶对纯度要求很高，如果含有千分之几的杂质，单晶在光和 X 射线辐照下就会变成棕色，形成发射损伤，探测性能就会明显下降。因此，任何点缺陷的存在都会对 BGO 单晶的性能产生显著影响。 点缺陷有时候对材料性能又是有利的 彩色电视荧光屏中的蓝色发光粉的主要原料是硫化锌 (ZnS) 。在硫化锌晶体中掺入约 0.0001% AgCl，Ag+ 和 Cl? 分别占据硫化锌晶体中 Zn2+ 和 S2? 的位置，形成晶格缺陷，破坏了晶体的周期性结构，使得杂质原子周围的电子能级与基体不同。这种掺杂的硫化锌晶体在阴极射线的激发下可以发出波长为 450 nm 的荧光。 按缺陷产生的原因分类 两种典型的热缺陷 两种典型的热缺陷 说明下列符号的含义： VNa’，VCl?，(VNa’VCl?)，CaK?，CaCa，Cai?? 解：钠离子空位，带一个单位负电荷；氯离子空位，带一个单位正电荷；最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心；Ca2+占据K+位置，带一个单位正电荷；Ca原子位于Ca原子位置上；Ca2+处于晶格间隙位置。 基本规律： 低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生负离子空位或间隙正离子。 高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生正离子空位或间隙负离子。 点缺陷浓度的两种表示方式 格位浓度： 1 mol 格点位置中所含的缺陷的个数。 体积浓度：每单位体积中所含有的缺陷的个数。 位错学说的产生 人们很早就知道金属可以塑性变形，但对其机理不清楚。本世纪初到30年代，许多学者对晶体塑变做了不少实验工作。1926年弗兰克尔利用理想晶体的模型，假定滑移时滑移面两侧晶体象刚体一样，所有原子同步平移，并估算了理论切变强度τm= G/2(G为切变模量)，与实验结果相比相差3～4个数量级，即使采用更完善一些的原子间作用力模型估算，τm值也为G／30，仍与实测临界切应力相差很大。这一矛盾在很长一段时间难以解释。1934年泰勒(G.I.Taylor)，波朗依(M.Polanyi)和奥罗万(E.Orowan)三人几乎同时提出晶体中位错的概念。泰勒把位错与晶体塑变的滑移联系起来，认为位错在切应力作用下发生运动，依靠位错的逐步传递完成了滑移过程，如下图。 与刚性滑移不同，位错的移动只需邻近原子作很小距离的弹性偏移就能实现，而晶体其他区域的原子仍处在正常位置，因此滑移所需的临界切应力大为减小。在这之后，人们对位错进行了大量研究工作。1939年柏格斯(Burgers)提出用柏氏矢量来表征位错的特性的重要意义，同时引入螺型位错。1947年柯垂耳(A．H．Cottrell)利用溶质原子与位错的交互作用解释了低碳钢的屈服现象。1950年弗兰克(Frank)与瑞德(Read)同时提出了位错增殖机制F—R位错源。50年代后，透射电镜直接观测到了晶体中位错的存在、运动和增殖。这一系列的研究促进了位错理论的形成和发展。 2.4.2.1刃型位错 2.4.2.2 Screw dislocation 设想把晶体沿某一端任一处切开，并对相应的平面BCFE两边的晶体施加切应力，使两个切开面沿垂直晶面的方向相对滑移1个晶格间距，则平面BCFE就是滑移面，滑移区边界EF就是螺型位错线。 体缺陷 (三维缺陷) 在三维方向上尺寸都比较大的缺陷。 例如，固体中包藏的杂质、沉淀和空洞等 从化学组成、相组成考虑，固溶体、化合物和机械混合物的区别列下表比较 。 固溶体、化合物和机械混合物比较 （以AO溶质溶解在B2O3溶剂中为例） 固溶度 固溶度指的是固溶体中溶质的最大含量。可以由实验测定，也可以根据热力学原理进行计算。 填隙型固溶体的固溶度一般都是有限的，这是因为填隙本身比较困难。 置换型固溶体的固溶度随体系的不同差异较大，可以从几个 ppm 到 100%(无限互溶)。 Au-Ag(Cu)之间可以形成连续固溶体：Au 的半径为 0.137 nm，Ag 的半径为 0.126 nm。原子半径差为 8.7%。Cu的半径为 0.128 nm 常见的金首饰 14 K (含金量58.33%)、18 K (含金量75%)、22 K (含金量91.67%)、24 K (含金量99.99%) 等都是金和银 (或铜) 的固溶体 MgO-NiO之间也可