[高等教育]第二章数电.ppt

TTL系列集成电路 五、74AS、74ALS系列 74AS：速度快功耗较大。 74ALS：有更小的延迟—功耗积（传输延迟时间和功耗的乘积）。 与74系列电路具有完全相同的电路结构和电气性能参数，不同的是比74系列的工作温度范围宽，电源允许的工作范围大。 六、54、54H、54S、54LS系列 只要器件型号的后几位数码一样，则它们的逻辑功能、外形尺寸、引脚排列就完全相同。如7420 、74H20 、74S20 、74LS20 、74ALS20都是双4输入与非门，采用14条引脚双列直插式封装，而且输入端、输出端、电源、地线的引脚位置也相同。 各种系列门电路的性能比较 返回 NMOS反相器 NMOS门电路 CMOS门电路 §2-3 MOS集成逻辑门 ? MOS管的开关特性 数字逻辑电路中的MOS管均是增强型MOS管，它具有以下特点： 当|UGS||UT| 时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合 当|UGS||UT| 时，管子截止，相当于开关断开 ? NMOS反相器 设电源电压VDD = 10V，开启电压VT1 = VT2 = 2V 1、A输入高电平VIH = 8V 2、A输入低电平V IL = 0.3V时， ? 电路执行逻辑非功能 工作管 负载管 T1、T2均导通，输出为低电平VOL ≈0.3V T1截止T2导通，电路输出高电平VOH = VDD - VT2 = 8V。 NMOS反相器 ? NMOS与非门 工作管 串联 负载管 工作原理： T1和T2都导通，输出低电平 2、当输入端有一个为低电平时， 与低电平相连的驱动管就截止，输出高电平 电路 “与非”逻辑功能： 注： 增加扇入，只增加串联驱动管的个数，但扇入不宜过多，一般不超过3。 1 1 通 通 0 1、当两个输入端A和B均为高电平时 0 1 止 通 1 NMOS门电路 (1) (0) (止) (通) NMOS或非门 ? CMOS反相器 PMOS NMOS 衬底与漏源间的PN结始终处于反偏，NMOS管的衬底总是接到电路的最低电位，PMOS管的衬底总是接到电路的最高电位 柵极相连做输入端 漏极相连做输出端 电源电压VDD＞|VT1|+|VT2|，VDD适用范围较大可在3～18V， VT1--NMOS的开启电压（+） VT2--PMOS的开启电压（-） 工作原理： 1、输入为低电平VIL = 0V时 VGS1＜VT1 T1管截止； |VGS2| ＞｜VT2｜ T1的截止电阻远比T2的导通电阻大的多，VDD主要降落在T1的漏源之间，输出为高电平VOH≈VDD T2导通 2、输入为高电平VIH = VDD时，T1通T2止，VDD主要降在T2上，输出为低电平VOL≈0V。 实现逻辑“非”功能 CMOS门电路 ? CMOS传输门（TG） 栅极控制电压为互补信号，如C=0，C=VDD 工作原理： 当C = 0V， C= VDD时 TN和TP均截止，VI由0～VDD变化时，传输门呈现高阻状态，相当于开关断开， CL上的电平保持不变，这种状态称为传输门保存信息 当C = VDD，C= 0V时， VI在VT～VDD范围变化时TP导通， 即VI在0～VDD范围变化时，TN、TP中至少有一只管子导通，使VO=VI，这相当于开关接通，这种状态称为传输门传输信息。 VI由0～（VDD-VT）范围变化时TN导通， CMOS门电路 ? CMOS传输门（TG） 工作原理： 1、当C 为低电平时， TN、TP截止传输门相当于开关断开，传输门保存信息。 2、当C为高电平时， TN、TP中至少有一只管子导通，使VO=VI，这相当于开关接通，传输门传输信息。 由此可见传输门相当 于一个理想的开关，且是一个双向开关。 逻辑符号 输入 输出 门控制信号 CMOS门电路 ? CMOS模拟开关 电路图 控制模拟信号传输的一种电子开关， 通与断是由数字信号控制的 反相器的输入和输出提供传输门两个反相控制信号（C和C） 传输门 1、电路结构 2、逻辑符号 逻辑符号 CMOS门电路 CMOS门电路 ? CMOS门电路 1、与非门 二输入“与非”门电路结构如图 每个输入端与一 个 NMOS管和一个PMOS管的栅极相连 当A和B为高电平时： 1 两个并联的PMOS管T3、T4 两个串联的NMOS T1、T2 通 通 止 止 0 1 0 1 通 止 通 1 止 当A和B有一个或一个以上为低电平时： 电路输出高电平。 输出低电平。 ? 电路实现“与非”逻辑功能 CMOS门电路 ? CMOS门电路 2、“异或”门 由三个CMOS反相器和一个CMOS传输门组成 传输门的控制信号A、A 当A = B = 0时 0 0 1 1 0 TG断开 当A = B = 1时， 1 1 TG接通 1 1