[信息与通信]《数字电路课件》--第二章门电路.ppt

第二章 门电路 概述 分立元件门电路 TTL门电路 MOS门电路 TTL门电路与CMOS门电路 小结 2.1 概述 门电路——实现基本逻辑关系的电子电路 主要构成 逻辑门电路的性能和特点——逻辑特性、电气特性 本章讨论：内部结构、工作原理、外部特性 2.2 分立元件门电路 分立元件的开关特性： 理想开关特性: 开关K断开时，开关两端的电压为外部电压，通过开关的电流为0，开关等效电阻为∞。开关闭合时，开关两端电压为0，开关等效电阻为0 二极管开关特性 三极管开关特性 MOS管开关特性 正负逻辑及其它 分立元件门电路 二极管与门 二极管或门 三极管反相器 DTL门电路 二极管开关特性 二极管符号 二极管加正向电压 如图a所示：若VE＞V0,二极管导通,二极管导通电压VD=0.7V 硅管 （VD=0.2V 锗管） 二极管加反向电压 如图b所示：若VE＜0V 二极管截止 I=0 结论——二极管具有单向导电性 三极管开关特性 三极管符号 三极管的工作状态 三极管有三个工作状态：截止状态、放大状态和饱和状态 分析 结论——在数字电路中三极管作为开关元件主要工作在饱和状态（“开”态）和截止状态（“关”态） 当Vi= ViL（＜ VBE）时，T截止 VO = EC 当Vi= ViH时（且iB ＞ iBS），T饱和导通 VO = VCES≈0.2V 三极管工作状态——分析 三极管的工作状态 截止状态：当输入电压Vi较小时，VBE＜0， iB 、iE、iC≈0，RC上无压降。输出电压VCE等于VCC 放大状态：当输入电压Vi上升（＞0.7V），三极管导通，有iC=? iB 、 iE = iC + iB ，在放大状态下（ iB ＜ iBS），输出电压VCE = VCC - iC RC 饱和状态：随着输入电压Vi继续上升， iB 、iE、iC增加， VCE = VCC - iC RC减小，三极管集电极正偏。 iB ＞ iBS，输出电压VCE = VCES （ ≈0.3V 硅管） MOS管开关特性 MOS管结构图及逻辑符号 NMOS管工作原理分析 MOS管工作在截止与导通状态 结论: VGS ＜ VTH时，NMOS管截止，V0=VDD （R很大） VGS ＞ VTH 时，NMOS管导通，V0≈0V （R较小） （ VTH ——开启电压或阈值电压） NMOS管工作原理 MOS管的工作原理 分析 1.在栅_源极间加正向电压VGS ,衬底感应出电子,当VGS较小时,感应的电子被衬底空穴中和, iDS =0( iDS :漏_源极电流)。 称高阻区(截止区) 2.当VGS 电子 ，产生电子层N沟道.当VGSVTH,在外电场VDS作用下, iDS0。称电阻区。NMOS为导通状态。 3.由于iDS,沿沟道D S有压降,当VDS VGD ，使VGD VTH 导电沟道处于断开临界状态, iDS 恒定。称:恒流区. NMOS管工作状态 MOS管的工作状态 截止状态：若VGS小于NMOS管的开启电压VT，则NMOS管工作在截止状态，iDS≈0，输出电压VDS≈VDD 称“关态” 导通状态：若VGS大于NMOS管的开启电压VT，则NMOS管工作在导通状态，iDS= VDD /（RD+rDS），输出电压VDS=rDS VDD /（RD+rDS） （当rDS ＜＜ RD ，则VDS≈0V） 称“开态” 正负逻辑及其它 数字电路中的高电平与低电平 电路中能区分高、低电平既可——使门电路导通或截止。一般地，其取值有允许的范围——由电路特性决定。 数字电路中的正负逻辑问题 正负逻辑的定义： 设定：VL为0，VH为1——正逻辑 VL为1，VH为0——负逻辑 正负逻辑的描述: 正与逻辑 负或逻辑 *真值表： *表达式： *真值表： *表达式： *逻辑图 *逻辑图 二极管与门 二极管与门——能实现与逻辑功能的电路称为与门 二极管与门电路 分析 逻辑真值表、逻辑符号与表达式 二极管与门_原理分析 二极管与门电路 分析：设输入高电平为3V，输入低电平为0V。VCC=5V *当VA、VB均为高电平，二极管DA、DB均导