[工学]第4章 存储器接口电路设计.pptVIP

第4章 存储器接口电路设计及编程 （1）存储器的分类、存储结构 （2）半导体存储器 （3）SRAM和DRAM （4）只读存储器ROM （5）Flash 存储器接口及编程 （6）SDRAM存储器接口及编程 4.1 存储器概述 存储器的层次结构 4.2 半导体存储器 半导体存储器分类 半导体存储芯片结构 1．半导体存储芯片的基本结构 2．半导体存储芯片的译码驱动方式 16×1字节线选法芯片结构。用一根字选择线，直接选中一个存储单元的各位 1 K×1位重合法结构。只要用64根选择线(X、Y两个方向各32根)，便可选择32×32矩阵中的任一位 . 4.2.3 静态随机存取存储器SRAM 1.静态RAM基本单元电路 2114 RAM芯片的结构示意图 Intel 2114外特性示意图 4.2.4 动态随机存取存储器DRAM 1.动态RAM的基本单元电路 单管动态DRAM 4116芯片 16 K×1位的存储芯片 读时序 动态RAM的刷新。刷新的过程实质上是先将原有信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程 通常有三种方式刷新：集中刷新、分散刷新和异步刷新。 同步动态存储器SDRAM KM416S4020B芯片 SDRAM全称是同步动态随机存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory)。 SDRAM集成度高,存储容量大,读/写速度快,经常用其作为主存储器。 SDRAM类型的存储器芯片有许多，其中KM416S4020B系列是一种容量为1M×16bit×4bank的SDRAM。其工作电压为3.3V，支持自动刷新（Auto-Refresh）和自刷新（Self- Refresh）。 4.2.5 只读存储器ROM 掩膜ROM PROM一次性编程的只读存储器 EPROM可擦除可编程的只读存储器 4.2.6 Flash 存储器接口 F1ash闪速存储器又称快擦型存储器，它是在EPROM和EEPROM工艺基础上产生的种新型的、具有性能价格比更好、可靠性更高的可擦写非易失性存储器。 Flash按内部构架和实现技术可以分为AND、NAND、NOR等几种，目前以NOR Flash和NAND Flash为主流。 NOR的特点是：芯片内执行，即应用程序可以不必把代码读到系统RAM中而直接在Flash内运行；传输效率很高，在1～16MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND的特点是：极高的单元密度，可以达到高存储密度；写入和擦除的速度也很快，但NAND需要特殊的系统接口来串行地存取数据。对NAND的管理比较复杂。 2. NOR Flash型存储芯片29LV160TE HY29LV160是HYUNDAI公司生产的Flash存储器，其主要特点有： (1) 3V单电源供电，可使内部产生高电压进行编程和擦除操作； (2) 支持JEDEC单电源Flash存储器标准和CFMI（Common Flash Memory Interface）特性； (3) 只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令，具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成； (4) 可以对任一扇区进行读、写或擦除操作，而不影响其它部分的数据。 内部结构 引脚 HY29LV160操作编程命令包括读、擦除、编程和复位等命令，如表4-3 所示。 状态查询---包括3个状态位,数据查询位DQ7、翻转位DQ6和超时状态位DQ5。 ① 数据查询位DQ7。正在执行内部编程操作时，任何读DQ7的操作将得到真实数据的取反值。一旦编程操作结束，DQ7为真实的数据。 ② 翻转位DQ6。在内部编程或擦除操作过程中，读取DQ6将得到1或0，即所得的DQ6在1和0之间变化。当内部编程或擦除操作结束后，DQ6位的值不再变化。 ③超时状态位DQ5。内部编程或擦除过程超过芯片内部规定的时限，则DQ5为1，否则为0。 4.3 S3C44B0X存储系统实例 在EV44B0II系统中，使用Bank0上的一片1MB×16位的FLASH（29LV160TE）存储器来放置系统BIOS，系统上电以后，PC指针自动指向Bank0的第一个单元，开始进行系统自举。使用Bank6上的一片4MB×16位的SDRAM（KM416S4020B）存储器来存放用户应用程序。 4.3.1 SDRAM存储器接口及编程 1. 电路 SDRAM有16位数据宽度，SDRAM的A0引脚接到S3C44B0X的A1地址线上，即ADDR