[工学]第一章绪论-集成电路基础.pptVIP

教 材 1. 《集成电路导论 》杨之廉编著， 清华大学出版社 ，高等学校工科电子类规划教材 2. 参考教材：《微电子学概论》，张兴等编著，北京大学出版社，高等学校工科电子类规划教材 。 绪 论 § 1. 什么是集成电路、集成电路的分类 § 2. 描述集成电路的技术指标 § 3. 集成电路设计与制造的主要流程框架 § 4. 集成电路的诞生 § 5.集成电路的发展 § 6. 摩尔定律 § 7. 集成电路发展趋势及与其他学课结合 什么是集成电路？ Integrated Circuit，缩写IC 封装好的集成电路 什么是集成电路？ Integrated Circuit，缩写IC 以半导体晶体材料为基片，经加工制造，将元件、有源器件和互联线集成在基片内部、表面或基片上，执行某种电子功能的微型化电路。 几个概念 微电子学： Microelectronics 一门学科，一门研究集成电路设计、制造、测试、封装等全过程的学科 芯片：chip/die 没有封装的集成电路，但通常也与集成电路混用，作为集成电路的又一个名称 集成系统芯片SoC（System on a Chip） 微电子学和集成电路技术发展的产物，指在单芯片上实现系统级的功能 微电子学是综合性很强的边缘学科 研究电子在半导体和集成电路中的物理现象、物理规律，并致力于这些物理现象、物理规律的应用，包括器件物理、器件结构、材料制备、集成工艺、电路与系统设计、自动测试以及封装、组装等一系列的理论和技术问题 微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展方向。 微电子学的渗透性极强，它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科，例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等 按器件结构类型分类 1、双极集成电路：主要由双极晶体管构成 含NPN型及PNP型晶体管的双极集成电路 2、金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS晶体管(单极晶体管)构成 NMOS PMOS CMOS (互补MOS) 3、双极-MOS (Bi-MOS)集成电路： 同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为Bi-MOS集成电路，综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂 按集成电路规模分类 集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目 1、小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) 2、中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) 3、大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) 4、超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) 5、特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) 6、巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） 集成电路规模的划分 §3. 描述集成电路的 技术指标 1. 集成度（Integration Level）是以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件） 。随着集成度的提高，使IC及使用IC的电子设备的功能增强、速度和可靠性提高、功耗降低、体积和重量减小、产品成本下降，从而提高了性能/价格比，不断扩大其应用领域，因此集成度是IC技术进步的标志。 2. 特征尺寸 (Feature Size) / （Critical Dimension） 特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。特征尺寸的减小主要取决于光刻技术的改进。集成电路的特征尺寸向深亚微米发展，目前的规模化生产是0.18μm、0.15 μm 、0.13μm工艺， Intel目前将大部分芯片生产制成转换到0.09 μm 。下图自左到方给出的是宽度从4μm~70nm按比例画出的线条。由此，我们对特征尺寸的按比例缩小有一个直观的印象。 3. 晶片大小(Wafer Diameter) 为了提高集成度，可适当增大芯片面积。然而，芯片面积的增大导致每个圆片内包含的芯片数减少，从而使生产效率降低，成本高。采用更大直径的晶片可解决这一问题。晶片的尺寸增加，当前的主流晶片的尺寸为8吋，正在向12吋晶片迈进。下图自左到右给出的是从2吋～12吋按比例画出的圆。由此，我们对晶片尺寸的增加有一个直观的印象。