[工学]第二章 门电路.ppt

Bi-CMOS电路特点：采用CMOS电路实现逻辑功能，采用驱动能力强的TTL电路实现输出级。 Bi-CMOS性能特点：具有CMOS电路的低功耗，同时具有TTL输出电阻低、负载能力强、传输延迟时间短等特点。 CMOS门电路的改进型 （二）双极型CMOS门电路（Bi-CMOS） 1. Bi-CMOS非门 CMOS门电路的改进型 （二）双极型CMOS门电路（Bi-CMOS） 组成：T1和T3是驱动管，T5和T6是输出管，T2和T4分别是T5和T6基极的下拉负载管，形成有源负载。CL为负载电容。 输入高电平：T2、T3和T6导通，T1、T4和T5截止，输出低电平。 输入低电平：T1、T4和T5导通，T2、T3和T6截止，输出高电平。 输入与输出之间实现非逻辑。 0 1 1 1 0 0 2. Bi-CMOS与非门 CMOS门电路的改进型 （二）双极型CMOS门电路（Bi-CMOS） A、B中有低电平：输出高电平。 A、B全为高电平：输出低电平。 输入与输出之间实现与非逻辑。 A、B中有低电平：设B为低电平，则T4、T7导通，则T8导通、T9截止，输出高电平。 0 1 0 1 1 A、B全为高电平： T2和T5导通，T7截止，因此T8截止、T9导通，输出低电平。 1 1 1 0 0 3. Bi-CMOS或非门 CMOS门电路的改进型 （二）双极型CMOS门电路（Bi-CMOS） A、B全为低电平：则T1和T4导通，且T7导通，使得T8导通、T9截止，输出高电平。 A、B中有高电平：输出低电平。 A、B全为低电平：输出高电平。 输入与输出之间实现或非逻辑。 A、B中有高电平：A为高电平，则有T2、T3导通，T7截止，使得T8截止、T9导通，输出低电平。 CMOS电路的特点 1. 静态功耗低：小规模约2.5～5μW；中规模约25～100μW。 2. 集成度高、温度稳定性好。 3. 抗辐射能力强：MOS管是多数载流子受控导电器件，射线辐射对多数载流子浓度影响不大。 4. 电源利用率高：逻辑摆幅约等于电源电压，使电源电压得到充分利用。 5. 扇出系数大。 6. 电源取值范围宽：国产CC74HC系列电源范围为3～18V，CC74C系列为7～15V。 7. 易受静态干扰：由于输入阻抗高，容易受静电感应，因此在使用和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地良好。 CMOS门电路不用的输入端不能悬空。低速场合可将多余的输入端和有用的信号端并联使用。 CMOS门电路主要参数 系 列 参 数 基本CMOS 4000/4000B系列 高速CMOS 74HC系列 与TTL兼容的高速CMOS 74HCT系列 与TTL兼容的高速BiCMOS 74BCT系列 Tpd/ns （CL=15pF） 75 10 13 2.9 PD /mW 0.002 1.55 1.0002 0.0003～7.5 本章学习重点在TTL和CMOS集成电路的外部特性，主要有两个方面：一是输入与输出之间的逻辑功能；二是外部电气特性及其主要参数。 TTL电路输入级采用多发射极晶体管，输出级采用推拉式结构，工作速度快，负载能力强，是一种目前使用广泛的集成逻辑门。CMOS集成电路具有功耗低、扇出大、电源电压范围宽、抗干扰能力强、集成度高等一系列特点，在整个数字集成电路中占据主导地位。 在逻辑门电路的实际应用中，经常会碰到不同类型的门电路之间、门电路与负载之间的接口设计问题，正确分析和解决这些问题，是数字电路设计工作者应当掌握的。 小 结 TTL与非门的外特性及主要参数 （四）输入负载特性 UI在一定范围内会随着Ri的增加而升高，形成Ui = f（Ri）变化曲线，称为输入负载特性。 TTL与非门的外特性及主要参数 （五）功耗 功耗有静态功耗和动态功耗之分。 动态功耗指的是电路发生转换时的功耗。 静态功耗指的是电路没有发生转换时的功耗。静态功耗有空载导通功耗PON和空载截止功耗POFF两个参数。 1. 空载导通功耗PON指的是输出端开路、输入端全部悬空、与非门导通时的功耗。标准TTL芯片PON ≤50mW。 2. 空载截止功耗POFF指的是输出端开路、输入端接地、与非门截止时的功耗。标准TTL芯片POFF≤25mW。 1.扇入系数NI是指合格输入端的个数。 2.扇出系数NO表示门电路带负载能力的大小，NO表示可驱动同类门的个数。NO分为两种情况，一是灌电流负载NOL，二是拉电流负载NOH