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过程自动化教研室 常用电子元器件的选用 晶体管 普通半导体二极管的主要参数 1．反向饱和漏电流IS：指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。在常温下，硅管的IS为纳安（10-9A）级，锗管的IS为微安（10-6A）级。 2．额定整流电流IF：指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。 3．最大反向工作电压URM：指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的URM值可达几千伏。 4．最高工作频率fM：由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。 5．反向恢复时间trr：指二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IS时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。 ★ 半导体二极管 过程自动化教研室 常用电子元器件的选用 晶体管 几种常用二极管的特点 1．整流二极管 整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值。 2．快速二极管 快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的，但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长，约4～5ms，不能适应高频开关电路的要求。快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢复时间可达10ns。快速二极管主要包括肖特基二极管和快恢复二极管。 3．稳压二极管 稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。稳压管的主要参数有：①稳压值VZ 。②电压温度系数。③动态电阻rZ。④允许功耗PZ。⑤稳定电流IZ。 ★ 半导体二极管 过程自动化教研室 常用电子元器件的选用 晶体管 几种常用二极管的特点 4．发光二极管（LED） 发光二极管的伏安特性与普通二极管类似，所不同的是当发光二极管正向偏置时，正向电流达到一定值时能发出某种颜色的光。根据在PN结中所掺加的材料不同，发光二极管可发出红、绿、黄、橘及红外光线。 在使用发光二极管时应注意两点：一是若用直流电源电压驱动发光二极管时，在电路中一定要串联限流电阻，以防止通过发光二极管的电流过大而烧坏管子，注意发光二极管的正向导通压降为1.2～2V(可见光LED为1.2～2V, 红外线LED为1.2～1.6V)。二是发光二极管的反向击穿电压比较低，一般仅有几伏。因此当用交流电压驱动LED时，可在LDE两端反极性并联整流二极管，使其反向偏压不超过0.7V，以便保护发光二极管。 ★ 半导体二极管 过程自动化教研室 常用电子元器件的选用 晶体管 半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。 ★ 半导体三极管 过程自动化教研室 常用电子元器件的选用 晶体管 ★ 半导体三极管 半导体三极管的主要参数 1．共射电流放大系数β β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。 2．反向击穿电压值U(BR)CEO 指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。 3．最大集电极电流ICM 指由于三极管IC过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的IC值）。实际管子在工作时超过ICM并不一定损坏，但管子的性能将变差。 过程自动化教研室 常用电子元器件的选用 晶体管 ★ 半导体三极管 半导体三极管的正确使用 1．使用三极管时，不得有两项以上的参数同时达到极限值。 2．焊接时，应使用低熔点焊锡。管脚引线不应短于10mm，焊接动作要快，每根引脚焊接时间不应超过两秒。特征频率fT。指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。 fT的典型值约在100～1000MHz之间，实际工作频率。 3．三极管在焊入电路时，应先接通基极，再接入发射极，最后接入集电极。拆下时，应按相反次序，以免烧坏管子。在电路通电的情况下，不得断开基极引线，以免损坏管子。 4. 使用三极管时，要固定好，以免因振动而发生短路或接触不良，并且不应靠近发热元