[理学]第1章 常用半导体器件.ppt

第一章 半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 1.2.3 PN结 第一章 半导体器件 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的几种常见结构 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.5 稳压二极管 图1.2.13 光电二极管的外形和符号 第一章 半导体器件 1.3 双极型晶体三极管 1.3.1 晶体三极管的结构 1.3.1 晶体三极管的结构 1.3 双极型晶体三极管 1.3 双极型晶体三极管 1.3 双极型晶体三极管 1.3 双极型晶体三极管 第一章 半导体器件 1.4 场效应管 1.4.2 MOS场效应管 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 当UGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压UDS对 漏极电流ID的影响。UDS的不同变化对沟道的影响。 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 02-03 02-04 02-05 02-06 02-07 02-08 02-09 1.4.3 场效应管的主要参数 例 1.4.1 输出特性曲线 （图1.4.14 ） 例 1.4.2 电路图（图1.4.15 ） 图1.4.16 例 1.4.3 电路图 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 第一章 半导体器件 二、工作原理和特性曲线 定义：单结晶体管的发射极电流IE与电压UEB的关系曲线。 特性曲线的测试电路： ? 单结晶体管特性曲线 三、单结晶体管应用举例——振荡电路 1.5.2 晶闸管 晶闸管的结构示意图、等效电路和符号 二、晶闸管的工作原理 三、晶闸管的伏安特性曲线 四、晶闸管的主要参数 （1）额定正向平均电流IF （2）维持电流IH （3）触发电压UG和触发电流IG （4）正向重复峰值电压UDRM （5）反向重复峰值电压URRM 四、晶闸管的主要参数 （1）额定正向平均电流IF （2）维持电流IH （3）触发电压UG和触发电流IG （4）正向重复峰值电压UDRM （5）反向重复峰值电压URRM 晶闸管的特点和应用 特点： 体积小、重量轻、耐压高、效率高、控制灵敏和使用寿命长。 应用： 使半导体器件的应用从弱电进入强电领域，广泛应用于：无触点开关、整流、逆变和调压等大功率电子电路中。 晶闸管的特性曲线 例 1.5.1 在图示可控半波整流电路中，已知输入电压ui和触发电压uG的波形，定性画出负载电阻RL上的电压波形。 例 1.5.1 的电路及波形图 第一章 半导体器件 图1.6.2 集成电路的剖面图及外形 一、几个工艺名词 （1）氧化：800～1200℃，氧化产生SiO2 。隔离杂质。 （2）光刻与掩模： 制作版图——掩模，利用照像技术将版图刻在硅片上——光刻。 （3）扩散：在1000℃的扩散炉中，做P、N型半导体。注：每次扩散后，都要氧化隔离。 （4）外延：在半导体晶片上形成一个与基片结晶轴同晶向的半导体薄层，称为外延生长技术。 （5）蒸铝：在真空中将铝蒸发，沉积在硅片表面，为制造连线和引线做准备。 二、隔离技术 —— PN结隔离的制造工艺 三、电路元件的制造工艺 —— 在隔离岛上 制作NPN型管的工艺流程及剖面图 1.6.2 集成双极型晶体管 二、其它类型晶体管 多集电极管的结构与符号 1.6.3 集成单极型晶体管 1.6.4 集成电路中元件的特点 一、具有良好的对称性 制造环境相同 二、电阻与电容的数值有一定的限制 占用面积大、几十～几千欧，小于100P 三、纵向晶体管的 β 值大，横向晶体管的 β 值小，但PN结耐压高。 四、用有源元件取代无源元件 纵向NPN管占用面积小 本章小结 本章小结（续1） 本章小结（续2） 本章小结（续3） 本章小结（续4） 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.5.1 单结晶体管 一、单结晶体管的结构示意图和等效电路 低掺杂N型硅棒上，制作一个高掺杂P区，形成一个PN结。 结构 示意图 等效电路 符号 受ueb1 控制 返回 当e极开路，b2加电压VBB时， A点的电压： 返回 工作原理： Ve升高到大于VA时，b1区R变小，VA下降。 返回 可 控 硅 实 物 返回 一、结构和等效电路 返回 阳极 阴极 控 制 极 返回 两个工作状态： 阻断状态、导通状态。 VGG=0，阻断状态； VGG0.6V，导通状态: VGG产生IG＝ IB2 → IC2＝ β2IB2 ＝ IB1 → IC1＝ β1IB1 ＝ β1β2