[理学]第8章 半导体存储器.pptVIP

东北大学信息学院 静态存储器是以触发器为基本单元来存储0和1的，在不失电的情况下，触发器状态不会改变； 动态存储器是用电容存储电荷的效应来存储二值信号的。电容漏电会导致信息丢失，因此要求定时对电容进行充电或放电， 称为刷新。动态存储器都为MOS型。 按工作特点不同： 分成只读存储器、随机存取存储器。 2、存取周期 连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。 ROM按存储内容的写入方式，可分为固定ROM,可编程序只读存储器，简称（PROM)和可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，简称EPROM)， E2PROM， Flash Memory 。 固定ROM：在制造时根据特定的要求做成固定的存储内容，出厂后，用户无法更改，只能读出。 8.1.1 固定只读存储器(ROM) 位线与字线之间逻辑关系为： D0=W0+W 1 D1=W1+W3 D2=W0+W2+W3 D3=W1+W3 存储矩阵的输出和输入是或的关系，这种存储矩阵是或矩阵。地址译码器的输出和输入是与的关系，因此ROM是一个多输入变量（地址）和多输出变量（数据）的与或逻辑阵列。 8.1.3 可擦可编程只读存储器(EPROM) 可擦除可编程存储器又可以分为：光可擦除可编程存储器UVEPROM(Ultra—Violet Ereasable Programmable Read－Only Memory) 电可擦除可编程存储器E2 PROM (Electrical Ereasable Programmable Read－Only Memory) 快闪存储器(Flash Memory)等。 2、E2 PROM 采用了一种叫做Flotox（Floating gateＴunnel Oxide）的浮栅隧道氧化层的MOS管，简称Flotox管。Flotox管与SIMOS管相似,它也属于N沟道增强型的MOS管,并且有两个栅极一一控制栅Gc和浮置栅Gf。 3．快闪存储器(Flash Memory) 快闪存储器吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点,又保留了E2ROM用隧道效应擦除的快捷特性,而且集成度可以作得很高。其结构与SIMOS管相似,二者区别在于快闪存储器中MOS管浮置栅与衬底间氧化层的厚度不到SIMOS管中的一半。 [例]试用ROM设计一个能实现函数y=x2的运算表电路,x的取值范围为0~15的正整数。 解：因为自变量x的取值范围为0~15的正整数,所以应用4位二进制正整数,用B=B3B2B1B0表示,而 y的最大值是=225,可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。根据y=x2的关系可列出 Y7、 Y6、Y5、Y4、Y3、Y2、Y1、Y0 与B3B2B1B0的关系表 根据表达式画出ROM存储点阵如下图。 8.2 随机存取存储器 随机存取存储器RAM（Random Access Memory）可随时从任一指定地址存入（写入）或取出（读出）信息。在计算机中，RAM用作内存储器和高速缓冲存储器。RAM分为静态RAM和动态RAM；静态RAM又分为双极型和MOS型。 8.2. 3 动态RAM 动态RAM与静态RAM的区别在于：信息的存储单元是由门控管和电容组成。用电容上是否存储电荷表示存1或存0。为防止因电荷泄漏而丢失信息，需要周期性地对这种存储器的内容进行重写，称为刷新。动态MOS存储单元电路主要是三管和单管结构。 读出数据：输入预充电脉冲，T4通，CD充电到VDD，读数据线置1。读选择线置1 ，若C上原来有电荷，T2、T3通，CD放电，数据线输出0。若C上没电荷，T2止，CD无放电回路，读数据线为1，相当反码输出。经读放大器放大并反相后输出即为读出数据。 8.3 存储器容量的扩展 1. 位扩展 字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展。 用4片256×1位的RAM扩展成256×4位的RAM的接线图。 2.字扩展 在位数足够，而字数达不到要求时，需要进行字扩展。字数增加，地址线数就得相应增加。如256×8位RAM的地址线数为8条，而1024×8位RAM的地址线数为10条 例：试用1024×4位RAM实现4096×8位存储器。 解：4096×8位存储器需1024×4位RAM的芯片数 字扩展接法 * 教学基本要求： 掌握半导体存储器字、位、存储容量等基本概念。 掌握RAM、ROM的典型应用。 第8章 半导体存储器 分成TTL和MOS存储器两大类。TTL型速度快，MOS型工艺简单、集成度高、功耗低、成本低等特点。 按制造工艺不同分类： 半导体存储器的特点及分类 半