[理学]第七章 半导体存储器.ppt

* * * * * * * * * 解： ∴乘积项有: 与阵列容量为：6X6=36 或阵列容量为：2X6=12 阵列总容量为：36＋12=48 补充：可编程逻辑阵列（PLA） 例：试用ROM产生如下的一组多输出函数 ： 解： 补充：可编程逻辑阵列（PLA） ∴乘积项有: 与阵列容量为：8X7=56 或阵列容量为：4X7=28 阵列总容量为：56＋28=84 补充：可编程逻辑阵列（PLA） 【思考题】 PLA的与或阵列与ROM的与或阵列有什么区别? 2. 用PLA如何实现逻辑函数及组合电路。 1.可编程逻辑阵列PLA和PROM相比之下，有如下特点： （1）PROM是与阵列固定、或阵列可编程，而PLA是与和或阵列全可编程； （2）PROM与阵列是全译码的形式，而PLA是根据需要产生乘积项，从而减小了阵列的规模； （3）PROM实现的逻辑函数采用最小项表达式来描述。而用PLA实现逻辑函数时，运用简化后的最简与或式； （4）在PLA中，对多输入、多输出的逻辑函数可以利用公共的与项，因而提高了阵列的利用率。 作业：7.9 补充：可编程逻辑阵列（PLA） 本章小结 1、掌握存储器的基本工作原理、分类和每 种类型存储器的特点； 2、掌握扩展存储器容量的方法； 3、掌握用存储器和PLA设计组合逻辑电路的方法。 第七章 半导体存储器 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第七章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 补充：可编程逻辑阵列PLA 第七章 半导体存储器 一、存储器定义； 二、存储器两个重要性能指标； 三、分类及特点； 四、存储器与寄存器比较 7.1 概述 一、定义：是一种能存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。在计算机及其它数字系统中，正是利用存储器来存储大量的数据、信息、程序等。 二、衡量性能存储器的主要指标 存储容量 ： 存储器存放二进制信息的总位数。 存取速度 ： 从CPU给出有效的存储器地址启动一次存储器读/写操作，到该操作完成所经历的时间快慢。 7.1 概述 （1）ROM：正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速地随时修改或重新写入数据。 优点：电路结构简单，且在断电后数据不丢失。 缺点：只适用于存储固定数据。 三、半导体存储器一般按存、取功能分两大类： 只读存储器:Read-only Memory，简称ROM 随机存储器:Random Access Memory，简称RAM （2）RAM：在正常工作时可以随时从任何一个指定地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元。 优点：读写方便，使用灵活。 缺点：一旦断电，数据会丢失。 7.1 概述 制造工艺： 双极型 和 MOS型 两类。 7.1 概述 四、存储器与寄存器的不同： 因为半导体存储器的存储单元数目极其庞大而器件的引脚数目有限，所以在电路结构上就不可能象寄存器那样把每个存储单元的输入和输出直接引出。 为了解决这个矛盾，在存储器中给每个存储单元编了一个地址，只有被输入地址代码指定的那些存储单元才能与公共的输入/输出引脚接通，进行数据的读出或写入。 7.1 概述 一、ROM的分类及特点; 二、ROM的组成框图及各部分作用; 三、有关概念; 四、ROM电路介绍 7.2 只读存储器ROM 一、ROM的分类及特点： ⒈掩模ROM：存储器里的数据在制作时已经确定，无法更改。 ⒉可编程ROM（PROM）：设计人员按照自己的设想将所需内容自行写入PROM而得到所要求的ROM。但PROM的内容一经写入就不能修改了，所以只能写入一次。 ⒊可擦除可编程的ROM（EPROM）：存储的数据可以擦除重写。 ⑴用紫外线照射擦除：EPROM或 UVE-PROM； ⑵用电信号擦除：E2PROM，快闪存储器（Flash-Memory)。 7.2 只读存储器ROM 二、ROM的组成框图及各部分作用 n条 2n个输出 字数 位数 ⒈提高带负载能力； ⒉实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线联接。 ROM的存储单元可以是二极管、双极性三极管或MOS管。 7.2 只读存储器ROM 三、有关概念 ROM存储容量： 存储单元的个数，用M字×N位表示； 字数（字节数）M：地址译码器的输出端数。若地址输入端数（地址码）为n条，则M=2n； 位数（字长）N：数据输出端数，即每次读出数据的个数。 例：一