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PECVD工艺简介 赵建东 2009.5.28 目录 PECVD原理 工艺原理 设备简介 工艺控制 PECVD原理 PECVD定义 PECVD英文全称为Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积，其它的有HWCVD，LPCVD，MOCVD等。 PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 等离子体定义 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态。等离子体从宏观来说也是电中性，但是在局部可以为非电中性。 PECVD优点 对比：APCVD—常压CVD，700-1000℃ LPCVD—低压CVD， 750℃，0.1mbar PECVD—300-450 ℃，0.1mbar 由上可知PECVD的优点是实现了薄膜沉积工艺的低温化（450℃）。因此带来的好处： 1.节省能源，降低成本 2.提高产能 3.减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减 PECVD另一个优点是低压沉积，这样就显著提高了沉积薄膜的均匀性！ 工艺原理 PECVD目的 PECVD在太阳能电池中的应用是在太阳能电池扩散面沉积深蓝色薄膜-SiN膜。 SiN薄膜的作用如下： 1.减反膜 2.表面钝化作用 3.体钝化作用 减反膜原理 在左图中示出了四分之一波长减反射膜的原理。从第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光相位相差180度，所以前者在一定程度上抵消了后者。即n1d1=λ/4。 空气或玻璃 n0=1 or 1.5，硅 n2=3.87 ，SiN减反膜的最佳折射率n1为 1.9或2.3。 表面钝化作用 SIN薄膜性质如下： 1.结构致密，硬度大 2.能抵御碱金属离子的侵蚀 3.介电强度高 4.耐湿性好 5.耐一般的酸碱，除HF和热H3PO4 所以SIN薄膜可以用来保护半导体器件表面不受污染物质的影响。 体钝化作用 对于Mc—Si，因存在较高的晶界、点缺陷（空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物）对材料表面和体内缺陷的钝化尤为重要。 在SiN减反射膜中存在大量的H，在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。应用PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm/s。 工艺流程 1.反应气体进入真空反应室，被电离成等离子体； 2.硅片被加热到400度，进入真空反应室； 3.气体相互反应，在硅片表面上沉积薄膜。 气体反应式 设备简介 PECVD设备外观 PECVD设备结构 1.进料腔 2.加热腔 3.工艺腔 4.冷却腔 5.出料腔 1 2 3 4 5 工艺控制 PECVD检验参数 1.看颜色是否合格（合格的颜色为深蓝、蓝色、淡蓝） 2.色差和水印不超过整体面积的5% 3.检验标准:折射率为2.0-2.20,膜厚在65-85nm 外观检查 表面发白 色差 白点 表面脏片 表面状况良好 氮化硅颜色与厚度的对照表 工艺参数调整 PECVD调整原则 THANK YOU!