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技术中心 Technologies Center 44 W 超高功率 808 nm 半导体激光器的设计与制作 文/仇伯仓，胡海，何晋国；深圳清华大学研究院，深圳瑞波光电子有限公司 高功率激光器结构设计 得。图3 给出了量子阱光场限制因子 图1 是一个典型的基于AlGaAs gamma 与SCH 厚度之间的关系。由 材料的808 nm 半导体激光器外延 其可见，低限制因子可用两种不同方 结构示意图。由其可见，外延结构 法获得：一种是采用SCH 厚度很薄 由有源区量子阱、AlGaAs 波导以及 的设计；另一种是采用SCH 厚度很 AlGaAs 包层材料组成；在材料选取 厚的设计。SCH 厚度达到 1 μm 左右 上包层材料的Al 组分要高于波导层 图1：半导体激光外延结构示意图。 的波导设计通常称为大光场（LOC ） 材料的Al 组分，以保证在材料生长 设计。大光场设计因较易兼顾芯片的 方向形成波导结构，即材料对其中的 腔内损耗和串联电阻的优化，因此这 光场有限制作用（见图2 ）。 一设计理念被广泛采用。 另外，为了实现电子与空穴在量 子阱内产生受激辐射复合，材料必须 高功率激光工艺制作与腔面处理 被掺杂成p-i-n 结构，其中有源波导 高功率激光器的有源区条宽在几 区通常为非掺杂的本征区域。因为半 图2 ：外延结构以及与之对应的光场分布。 十微米甚至几百微米，具体条宽根据应 导体激光器的主要性能参数对温度非 三个因素中，光场密度对寿命以及可 用而定。为了区别于单模窄波导激光， 常敏感，所以在设计外延与器件结构 靠性的影响最为显著。事实上，激光 这种激光结构有时会被称为宽条激光。 时，必须仔细优化芯片结构参数，尽 芯片失效在很大程度上与光场密度相 宽条激光的工艺处理相对简单，一些公 可能减小器件的内损耗以及串联电 关的两种失效模式有关：一种为因光 司为简化工艺，仅通过几个步骤的工艺 阻，尽可能提高器件的内量子效率， 场密度造成的腔内光学灾变（简称 处理（如离子注入）形成电隔离区域， 以获得尽可能高的电光转换效率。 COBD ）；另一种为光场密度过高而在 然后制作p 面金属电极、晶片减薄、n 在器件设计上通常采用腔长较长 腔面引起的光学灾变（简称COMD ）。 面金属电极沉积、快速退火以及腔面镀 的结构，这是因为整个芯片封装模块 在高功率激光外延结构设计中， 膜等，即完成所有工艺流程。但用这种 的热阻与腔长近似成反比，芯片越 为了降低因光功率密度过高而引起器 方法制作的激光器，其水平方向的光束 长，模块热阻越小，芯片的结温越低。 件失效的几率，通常采用低光场密度 特性随电流变化较大。 另一个考虑因素是器件的可靠性，可 或是低限制因子设计。在低限制因子 为改善宽条激光器相对于注入电 靠性也与芯片工作时的电流密度有 设计中，虽然阈值电流会有所上升， 流的稳定性，也可以通过刻蚀形成脊 关，电流密度越大，寿命越短。不同 但考虑到高功率激光器的工作电流是 波导，波导结构不仅会对电流形成隔 于低功率器件，在高功率激光器设计 阈值电流的10~20 倍以上，阈值电流 离作用，而且刻蚀形成的波导也会对 中，阈值电流的大小不是最优先考虑 的些许增加并不会显著影响器件的整 光在横向形成波导限制。图5 给出了 的因素。研究表明，高功率激光芯片 体效率。 刻蚀后形成的宽波导激光器