chap3 扩散工艺3.6.pdf

§3.7工艺控制和质量检测 一.工艺控制 二.质量检测 1 一.工艺控制 污染控制：颗粒、有机物、薄膜、金属离子 污染来源：操作者，清洗过程，高温处理，工具 参量控制：温度，时间，气体流量(影响最大?) 1.温度控制：源温、硅片温度、升温降温、测温 2.时 间：进舟出舟自动化，试片 3.气体流量：流量稳定，可重复性，假片 假片和试片 假 试 假 片 片 片 假 正 假 片 片 片 二.质量检测 1. 质检项目 2. 结深测量 3. 扩展电阻法 4. 方块电阻测量 1.扩散工艺质量检测项目 2. 结深测量 3.扩展电阻法 叙述其他策略 列出每项的优势和劣势 叙述每项所需的消耗 4. 方块电阻测量 为了得到准确的测试结果，测试中应注意 （1）四根探针必须保持高低相同，在同意 铅平面内，彼此平行且间距相等；（2 ）探 针要有一定的尖度，与样品有良好的接触； （3 ）为了满足小注入和弱电场的测试条件， 通过探针的电流不宜过大，2mA，这样可 避免焦耳热的影响和少子注入被电场扫过 样品引起测量误差；（4 ）测量时应取正\反 两个方向测量，然后取其平均值，以减少 测量误差。 三、质量分析 1．常见表面质量问题：  （1）表面合金点和破坏点： 扩散后的硅片表面上有时会有一层白雾 状东西或者小的突起，在显微镜下观察， 前者是一些黑色的小圆点，后者是一些 小突起，在小突起地方，还能看到一圈 一圈的干涉条纹。  那些小圆点称为合金点，突起部分称 为破坏点，产生的原因有些不同：前者 是由于有过多的杂质原子堆积在一起与 硅片生成合金点，是一种玻璃体结构； 后者是由于在扩散过程中，由于光刻腐 蚀不当，硅片表面有缺陷，硅片上有水 迹和玷污，工作室内湿度太大或者杂质 源变质等原因。  （2 ）表面玻璃层  硼和磷扩散后，往往在表面形成一层硼硅玻璃 层和磷硅玻璃层。这是由于温度过高或扩散时 间过长造成的。此玻璃层给下一道光刻工序带 来了困难。因为表面这个玻璃层，会与光刻胶 粘附力下降，刻蚀时会造成钻蚀或浮胶。因此， 在扩散时应尽量减少这一层玻璃层。解决办法 是严格控制好扩散温度和时间以及气体流量。  （3 ）白雾 扩散以后要求硅片光亮，然而，有时侯 会发现白雾。这种现象大多发生在液态 源磷扩散。因为磷扩散时杂质浓度过高 及石英管中存在偏磷酸，在扩散时会有 大量烟雾喷射到硅片表面，在快速冷却 过程中，就产生了白雾。这些白雾使得 光刻胶和硅片粘附不好，同样会产生浮 胶或钻蚀现象。解决的办法是控制好扩 散温度，不要扩散的太浓，冷却时要慢。  （4 ）其它：  表面凸起物；表面氧化层颜色不一致； 硅片表面滑移线或硅片弯曲；硅片表面 划伤，边缘缺损，或硅片开裂等。 表面不良的影响：  （1）合金点引起加速扩散而导致结面不 平整，使PN结低击穿或“分段击穿”； (2) 由于合金点处不容易生长氧化膜而形 成氧化层针孔；  （3 ）表面白雾和合金点都会使硅片表面 与光刻胶的粘润性变差，影响光刻质量。 2 ．漏电电流大：表面沾污引起的表面漏 电；氧化层的缺陷破坏了氧化层在杂质 扩散时的掩蔽作用和氧化层在电路中的 绝