霍耳效应与霍耳元件.docVIP

2009级食品质量与安全专业 《大学物理》论文 霍耳效应与霍耳元件 学 院 ： 食品科学与工程学院 专 业 年 级 ： 食安093班 （2009013252） 学 生 姓 名 ： 赵 慧 课 程 成 绩： 完成时间： 2010年6月 20日 霍耳效应与霍耳元件 [摘要]，霍尔效应是一种磁效应，霍尔元件是霍尔效应，A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。 霍耳效应 将静止的载流导体（多为半导体）置入磁场中，当导体的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势（电压）， 实验测定，霍耳电势差的大小，和电流 I 及磁感强度B成正比, 而与板的厚度d 成反比。即霍耳电势差 UH = RHIB/d ,其中: RH = 1/ne称为霍耳系数，式中 ne为载流子数密度和其电荷量,与材料性质有关。 霍耳元件是直接利用霍耳效应制成的器件，具有尺寸小、外围电路简单、频响宽、动态特性好、使用寿命长等特点，因此广泛应用于测量、自动控制及信息处理等领域霍尔元件的原理如下: 在片子上作四个电极，其中C1、C2间通以工作电流I，C1、C2称为电流电极，C3、C4间取出霍尔电压VH，片子两侧建立起一个稳定的电压C3、C4称为敏感电极。将各个电极焊上引线，并将片子用塑料封装起来，就形成了一个完整的霍尔元件（又称霍尔片）。ρ是用来制作霍尔元件的材料的电阻率，μn是材料的电子迁移率，RH是霍尔系数，l、W、t分别是霍尔元件的长、宽和厚度，f(I/W)是几何修正因子，是由元件的几何形状和尺寸决定的，I是工作电流，V是两电流电极间的电压，P是元件耗散的功率。在霍尔元件中，ρ、RH、μn决定于元件所用的材料，I、W、t和f(I/W)决定于元件的设计和工艺，霍尔元件一旦制成，这些参数均为常数。霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。 霍尔系数（又称霍尔常数）RH霍尔灵敏度KH霍尔额定激励电流霍尔最大允许激励电流霍尔输入电阻 霍尔输出电阻霍尔元件的电阻温度系数霍尔不等位电势（又称霍尔偏移零点）霍尔输出电压霍尔电势温度系数测量磁场工作磁体的设置与外电路的接口霍耳效应与霍耳元件--《现代物理知识》2000年S1期霍尔元件与电子检测应用电路 卢文科等 中国电力出版社 2005.4普通物理学 程守诛，江之永 高等教育出版社 1982English Title]　 Hall effect and Hall components [English Abstract] Hall effect is a magnetic effect，Hall element is the use of Hall-effect device made of. This definition of the Hall effect, the phenomenon, principle and the principle of the Hall element, properties, applications are described.