[信息与通信]02B01---FLASH模块.pdf

MSP430F449学习仪培训 MSP430F449学习仪培训 MMSSPP443300FF444499学学习习仪仪培培训训 MSP430F449学习仪培训 MSP430F449学习仪培训 MMSSPP443300FF444499学学习习仪仪培培训训 FLASH存储器 FLASH存储器 精诚技术部 MSP430F449结构框图 MSP430F449结构框图 MSP430F449结构框图 MMSSPP443300FF444499结结构构框框图图 MSP430F449结构框图 MMSSPP443300FF444499结结构构框框图图 FLASH存储器 FLASH FFLLAASSHH FLASH存储器 FLASH FFLLAASSHH 讲解： 介绍FLASH存储器的结构、 特点 FLASH的段 FLASH各种操作模式 介绍相应的寄存器 试验：flashed_test.c FLASH模块的特点 FLASH FFLLAASSHH 可以位、字节和字操作； 只能整段擦除； JTAG BSL ISP 可以通过 、 和 编程； 1.8V-3.6V工作电压，2.7V-3.6V编程电压； 擦除/编程次数可达100,000次； 数据保持时间从10年到100年不等； 60KB 5 空间编程时间 秒； 保密熔丝烧断后不可恢复，不能再对JTAG进行任何访 问； FLASH编程/擦除时间由内部硬件控制，无需任何干 预； FLASH存储器主存储器和信息存储器组成，可以存储 代码或数据。 MSP430F449电气特性 MSP430F449 MMSSPP443300FF444499 FLASH模块的结构 FLASH FFLLAASSHH FLASH存储段 FLASH FFLLAASSHH FLASH存储段结构， 4KB例子 读写FLASH存储器时钟频率，257KHz to 476KHz FLASH存储器操作方式 FLASH FFLLAASSHH FLASH -- 存储器操作 擦除 FLASH -- FFLLAASSHH 擦除操作 擦除操作 选择适当的时钟源和分频因子，为时序发生器 提供正确时钟输入 如果LOCK=1，则将它复位 如果擦除一段，则设置ERASE=1. 如果擦除多段，则设置MERAS=1 如果整个FLASH全擦除，则设置RASE=1,同时 MERAS=1. 对擦除的地址范围内任意位置作一次空写入， 用以启动擦除操作。如果空写的地址在不能执 行擦除操作的段地址范围内，则写入操作不起 作用。 字字节操作//// FLASH写操作 FLASH FFLLAASSHH 选择适当的时钟源以及合适的分频因子 如果LOCK=1，将它复位。 如果写入单字或单字节，则将设置WRT=1; 如果是块写或多子、多字节顺序写入，则将设置 WRT=1，BLKWRT=1 将数据写入选定地址时启动时序发生器，在时序发 生器的控制下完成整个过程 块写