[2018年最新整理]两种介质的边界条件.pptVIP

* 2 – 5 静电场的边界条件 第二章静电场与恒定电场 * 两种介质的边界条件 由于媒质的特性不同，引起场量在两种媒质的交界面上发生突变，这种变化规律称为静电场的边界条件。为了方便起见，通常分别讨论边界上场量的切向分量和法向分量的变化规律。 一 法向边界条件 或 如果界面上无自由电荷分布，即 时，边界条件变为 或 二 切向边界条件 场强度的切向分量连续，意味着电位是连续的，即 由于 法向分量的边界条件用电位表示为 在 时， 设区域 1 和区域 2 内电场线与法向的夹角分别为 、 . 导体内的静电场在静电平衡时为零。设导体外部的场为　、　， 导体的外法向为　，则导体表面的边界条件简化为 介质与导体的边界条件 可见，导体中不可能存在静电场，导体内部不可能存在自由电荷。处于静电平衡时，自由电荷只能分布在导体的表面上。 E ⊕ 一 ⊕ ⊕ 一 一 E ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ 一 一 一 一 E + E = 0 E E = 0 导体 静电平衡 因为导体中不可能存在静电场，因此导体中的电位梯度为零。所以，处于静电平衡状态的导体是一个等位体，导体表面是一个等位面。 既然导体中的电场强度为零，导体表面的外侧不可能存在电场强度的切向分量。换言之，电场强度必须垂直于导体的表面，即 介质 E, D 导体 en 导体表面存在的自由电荷面密度为 或写为 式中，? 为导体周围介质的介电常数。 已知导体表面是一个等位面，因 ，求得 考虑到导体中不存在静电场，因而极化强度为零。求得导体表面束缚电荷面密度为 边界条件 E2 E1 ? 1 ? 2 et ? 1 ? 2 en D2 D1 介质 E, D 导体 en 一 一 一 ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ 静电屏蔽 ? ? ? ? ? ? ? ? E = 0 E ? 0 ⊕ ⊕ ⊕ 一 一 一 ⊕ ⊕ ⊕ E ? 0 一 一 一 ⊕ ⊕ ⊕ 一 一 一 ⊕ ⊕ ⊕ E = 0 ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ 例 已知半径为 r1 的导体球携带的正电荷量为q，该导体球被内半径为 r2 的导体球壳所包围，球与球壳之间填充介质，其介电常数为?1 ，球壳的外半径为 r3 ，球壳的外表面敷有一层介质，该层介质的外半径为r4 ，介电常数为?2 ，外部区域为真空，如左下图所示。 试求：① 各区域中的电场强度； ② 各个表面上的自由电 荷和束缚电荷。 r1 r2 r3 r4 ? 0 ? 2 ? 1 可以应用高斯定律求解吗? 解 在 r r1及 r2 r r3 区域中 E = 0 在 r1 r r2 区域中 同理，在 r3 r r4 区域中，求得 在 r r4 区域中，求得 ？ 注意，各区域中的介电常数不同！ r1 r2 r3 r4 ? 0 ? 2 ? 1 根据 及 ，分别求得 r = r1: r = r4: r = r2: r = r3: r1 r2 r3 r4 ? 0 ? 2 ? 1