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实验七 单边P-N结杂质分布的锁相检测 【摘要】 半导体材料及器件的基本测量中有一部分非常重要的是对半导体材料及器件的杂质分布的测量。本实验通过测量不同直流偏压下p-n结势垒电容的方法（C~V法），可以既不破坏器件本身，又可以迅速地求得杂志分布。在测量过程中，利用锁相放大器检测微弱型号，对噪声处理，并对相关信号进行放大，实现对于信号的精确测量。 【关键字】 杂质分布，C~V法，锁相放大器 【正文】 引言 半导体器件设计与制造的核心问题是如何控制半导体内部的杂质分布，以满足实际应用所要求的器件参数。因此，杂质分布的测量是半导体材料及器件的基本测量之一。利用四探针或霍耳效应，逐次去层测量薄层霍尔电压，可以获得杂质分布以及迁移率随杂质浓度的变化；但是，逐次去层比较繁琐，而且具有破坏性。通过测量不同直流偏压下p-n 结势垒电容的方法(C~V 法)，可以既不破坏器件本身，又可以比较迅速地求得杂质分布。 本实验利用7265 型锁相放大器、采用C-V 法测量p-n 结的杂质分布。锁相放大器是检测微弱信号的重要仪器。检测微弱信号的核心问题是对噪声的处理。最简单、最常用的办法是采用选频放大技术，使放大器的中心频率f。与待测信号频率相同，从而对噪声进行抑制。但此法存在中心频率不稳、带宽不能太窄及对待测信号缺乏跟踪能力等缺点。锁相放大技术利用对待测信号和参考信号的互相关检测原理实现对信号的窄带化处理，能有效地抑制噪声，实现对信号的检测和跟踪。目前，锁相放大技术已广泛地用于物理、化学、生物、电讯、医学等领域。 实验要求： 1.掌握锁相放大器的原理和使用方法。 2.测量p-n 结电容-电压（C-V）特性曲线。 3.由突变p-n 结的C-V 的特性曲线，测量轻掺杂的杂质分布。 实验方法原理 如果p-n 结的一边掺杂浓度远大于另一边的掺杂浓度，就形成单边突变p-n 结, 加在 p-n 结上的电压几乎都降在耗尽层的轻掺杂一边。单位面积p-n 结势垒电容(C/A)和偏压 (VD+VR)的关系仅与轻掺杂的浓度(ND)有关，可由下式表示： ? 其中，VD 为无偏压时p-n 结的接触电势差（即为单边突变异质结的自建势）。 单边突变p-n 结杂质分布的C~V 测量 p-n 结势垒电容是一个随直流偏压变化的微分电容。因此，测量势垒电容时，我们在p-n 结上要偏置一定的反向直流偏压VR，同时，在VR 上再叠加一个微小的交变电压信号v( t )，并在交变电压信号v( t )与待测的p-n 结电容Cx 之间串接一个已知电容C0，当C0Cx 时，在C0 两端的电压为： 上式表明电容C0 上的交变电压vi 与待测的p-n 结电容Cx 成正比，比例系数v( t )/C0等于vi/Cx，它表示单位待测电容转换为电压信号的灵敏度。能否通过增大交变电压v( t )或降低C0 来提高这个灵敏度呢？我们知道，公式1-（1）成立的前提是C0Cx，此外，由于p-n 结是一个微分电容，交变电压v( t )必须比p-n 结上的压降V D + VR 要小得多，否则将给微分电容的测量带来一定的误差。因此，我们只有选取适当的交流放大器。经过检波后的输出幅度如果与输入电平成正比，那么，把检波后的直流信号接到记录仪的Y 轴输入端，p-n 结上的反向偏压接到记录仪的X 轴输入端，通过调节反向偏压的大小，就可以测得p-n 结的C ~ V 曲线。 p-n 结C ~ V 测量的方框图如下图所示： 数据处理与分析 检验锁相放大器的输出 Vs 与被测电容Cx 的线性关系，并观测相位差与Cx 的关系 CxCx(nf)log(Cx)幅值(mv)相位差(度)104100264.413.110310155.1427.331021010.6476.831000.01-20.16886.3 输出 Vs 与被测电容Cx的关系 输出 Vs 与被测电容log(Cx)的关系 成一定程度的线性关系，以拟合公式。 相位差与Cx 的关系 相位差与log(Cx)的关系 与Vs 相似，也成一定程度的线性关系。 （2）比较不同Vs下的C-V(VR-Vi)特性曲线 VR(V)Vi(100mV)Vi(150mV)Vi(200mV)0.2105.4154.72590.590.4131207180.1114.41621.574.2105.5150270.6100.51422.566.196.2136363.893.5131459.388.7124注：实验条件为f=30kHz的频率，实验数据Cx值单位为μV。 C-V(VR-Vi)特性曲线： 观察的到Cx随VR的增加递减，减小的速度逐渐减慢。