[化学]微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特征.pptVIP

微晶硅薄膜的PECVD ;微晶硅薄膜有着优异的电学和光学性能，成为近年来材料研究领域内的一个研究热点.;人们对微晶硅薄膜的沉积生长机制进行了较多的探索, 提出了不同的生长模型。 目前,被广泛接受的模型主要有两个: 表面生长模型和 亚表面生长模型.;表面生长模型认为,原子H 对生长表面的覆盖及H 与生长表面交换反应的局部加热效应使得薄膜生长的前驱体SiH3 基团在表面的扩散增强,促进生长基团在最低能量点结合,形成稳定的晶粒.;亚表面生长模型认为,表面下几个单层至几十纳米的生长区以氢为中介的铰链反应(或称化学退火) ,通过破坏弱的Si-Si 键促使硅网络重排,并形成稳态的键(晶态);本文采用了27.12MHz PECVD 技术制备了氢化微晶硅薄膜材料. 研究了生长条件参数对薄膜的微结构、表面形貌、键结构的影响特征,分析了孵化层的结构特征,及对晶化率、柱状晶粒形成的作用.;一、实???过程的说明;通过联合调控射频功率、气体流量比等参数,在不同的生长条件下沉积氢化微晶硅薄膜.对沉积的薄膜进行了微结构表征. 采用聚焦显微Raman 光谱仪对样品进行Raman 谱的测量,分析薄膜的结晶状态;二、结果与讨论;（1）SiH4浓度与薄膜晶化率的关系 （下页图）;;从图中可以看出,在Si H4浓度较低时,晶化率随SiH4 浓度的增加而增加,在Si H4 浓度为1%～2 %之间时达到最大值,继续增加SiH4 的浓度, 晶化率反而会降低. 可以预测,当SiH4 浓度达到某一阈值后,薄膜将是完全非晶的. 在以下的实验中, Si H4浓度被固定在1.63 %.;衬底温度直接影响反应前驱体在生长表面的扩散,对薄膜的结构有着重要的影响. 我们从 室温到400 ℃的温度范围内沉积了一系列的薄膜,并对薄膜进行了Raman 光谱的表征. 实验结果表明,在实验温度范围内,随着衬底温度的增加,薄膜的晶化率提高,生长速率也随之增 加,在400℃时达到约0.1nm/s;（3）反应气压的影响;下图为实验得到的薄膜晶化率和生长速率随反应气压的变化关系,证实了这种模型. ;;随着气压的增加,薄膜的晶化率和生长速率都增加，0.9 Torr 时达到饱和,进一步增加气压,晶化率和生长速率都显著下降.;(4)射频功率的影响;;从图中可以看出,随着射频功率的增加,薄膜的晶化率和生长速率都增加,进一步增加功率,薄膜的晶化率有所下降.;（5）直流偏压的影响;;结构因子R 定义为;可以看出,当对功率电极施加负偏压时,薄膜的晶化率显著增加,而生长速率则经过一个拐点后迅速下降. 另一方面,当对功率电极施加正向偏压时,适当地增加离子能量可以促进微晶硅的生长,而当离子能量过高时,对微晶硅的生长将是不利的,薄膜的晶化率显著下降,但生长速率得到了提高. 这表明离子诱导晶化与离子轰击非晶化的竞争是很复杂的,它们在不同的范围内占据主导,对薄膜的结构和生长速率产生影响.;在薄膜的沉积过程中,SiH4 浓度、射频功率、反应气压和离子能量等生长参数对薄膜的结构有着复杂的影响. 薄膜的生长速率为0.03～0. 1 nm/ s ,晶粒尺寸在20～70 nm 之间. Raman 谱及SEM 的结果表明在薄膜生长的初期阶段,形成一个嵌入大量小晶粒的非晶孵化层,随着薄膜厚度的增加非晶成份减少,晶化率提高,晶粒开始长大并结聚成团,形成大的颗粒,在生长方向上形成横向尺寸为百纳米级的柱状晶粒. 红外透射谱的结果证实2 100 cm- 1附近吸收来源于位于晶界区或微孔内表面团簇化的SiH 键的吸收,并且薄膜中的H 原子主要存在于晶界区而不是晶粒之中. 实验结果还表明在生长过程中适当的离子能量有利于抑制薄膜的氧化过程.;补充;在射频(11MHz)辉光放电等离子体反应系统中制备的，硅烷(SiH4)气体以高纯氢气稀释至2.5%，淀积时射频功率为10一25W，衬底温度自动控制在50一250℃。薄膜样品厚度控制在100~300?。透射电子显微镜(TEM)和透射电子衍射(TED)实验在JEM一200CX透射电子显微镜上进行;为了在电子显微镜上直接观察从非晶状态向微晶状态转变，和从微晶状态向多晶状态转变的动态过程，我们把厚度约为100?的a一Si:H薄膜从衬底上取下来，并复盖在钼网格上，装在样品架上，然后送入TEM样品室。在电子显微镜的样品室内对样品做就地加热即时观测，并利用特别接入的探头与录象系统相联接，对样品因温度变化而发生结构转变，从一个状态转变到另一个状态的全过程进行跟踪录象，得到动态过程的真实记录;实验结果;;2.利用射频辉光放电法，衬底温度为400℃时，淀积的硅薄膜样品具有随机取向的微晶结构。有工作表明，在350℃和400℃下辉光放电淀积非晶硅薄膜得到的晶粒分别为43?和100