一种新型限流式高压直流断路器拓扑.pdfVIP

一种新型限流式高压直流断路器拓扑.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种新型限流式高压直流断路器拓扑

2017 年 9 月 电 工 技 术 学 报 Vol.32 No. 17 第 32 卷第 17 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Sep. 2017 DOI :10.19595/ki.1000-6753.tces.161266 一种新型限流式高压直流断路器拓扑 李 帅 赵成勇 许建中 郭春义 (新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京 102206 ) 摘要 首先简要回顾了直流断路器的国内外研究现状及优缺点,在此基础上提出了一种带有 限流功能的高压直流断路器拓扑。该拓扑采用绝缘栅双极晶体管(IGBT )作为主开关器件,具有 断路、限流等功能,并具有通态损耗小、关断电流大、电压等级高的优点;可灵活配置支路数量 以调节每个支路的工作电流及故障下的限流效果,进而避免或减少大容量场合下IGBT 的直接并 联。PSCAD/EMTDC 环境下的仿真结果表明该断路器具有良好的限流、断路性能,故障电流上升 率及峰值相比于现有方案得以明显降低,验证了理论分析的正确性和方案的可行性。 关键词:直流断路器 器件串并联 故障限流 能量吸收 中图分类号:TM561 A New Topology for Current-Limiting HVDC Circuit Breaker Li Shuai Zhao Chengyong Xu Jianzhong Guo Chunyi (State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources North China Electric Power University Beijing 102206 China ) Abstract Firstly, the various existing circuit breakers are compared, and on this basis, a new topology for current-limiting HVDC circuit breaker is proposed in this paper. Insulation gate bipolar transistor(IGBT) is used in this topology as main power switching devices. This topology has two operating modes: fault current limiting and circuit breaking. The topology has the advantages of lower power loss, large quantities of turning off current, and high voltage level. The branches of this topology has the features of modularity, which can be flexibly configured to regulate the working current and current limiting effect. Therefore, the directly parallel connection of the IGBTs can be avoided or reduced. Finally, the topology is modeled in PSCAD/EMTDC, the simulation results show that the topology has good fault curren

文档评论(0)

ailuojue + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档