光敏电阻器件2.pptVIP

3)光敏电阻的工作特性 光电特性 伏安特性 时间响应和频率特性 温度特性 ④ 伏安特性 在一定的光照下，光敏电阻的光电流与所加的电压关系 光敏电阻是一个纯电阻，因此符合欧姆定律，其伏安特性曲线为直线。 不同光照度对应不同直线 光敏电阻参数 使用材料：硫化镉（CdS），硫化铅（PbS），锑化铟（InSb），碲镉汞（HgCdTe），碲锡铅（PbSnTe）. 光敏面：1-3 mm 工作温度：-40 – 80 oC 温度系数： 1 极限电压：10 – 300V 耗散功率： 100 W 时间常数：5 – 50 ms 光谱峰值波长：因材料而不同，在可见/红外远红外 暗电阻：108 欧姆 亮电阻：104 欧姆 光敏电阻的应用 基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。 基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路 基本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。 图15-10是光敏电阻应用的基本电路、电路中的光敏电阻受到光照射时，电流相当强，用电器正常工作.而当光敏电阻不受光照射时，阻值增大，电流减弱，用电器停止工作。 如果把电机换成蜂鸣报警器, 并且把此装置装在卧室内，早晨天明时，蜂鸣器就会自动发声唤醒。 课本169页案例具体说明 * --- 光电导器件工作的物理基础 光照变化引起半导体材料电导变化的现象 存在于大多数半导体和绝缘体中，金属中不存在（大量自由电子） 1. 光电导效应 三、光电导器件 光照射半导体材料 晶格原子/杂质原子的束缚电子吸收光子能量 被激发为传导态的自由电子 材料的载流子浓度增加 材料的电导率增大 光子激发产生的载流子仍保存在材料内部 ---- 内光电效应 本征型、 非本征型 只有光子能量h?大于材料禁带宽度Eg 的入射光才能激发出电子空穴对，使材料产生光电导效应的现象 本征光电导材料的截止波长 1）本征光电导 --- 只有波长小于?0的入射辐射才能产生本征光电导 禁带宽度单位 --- eV，截止波长单位 --- ?m 样品两端加有电极，沿电极方向加有电场 ① 稳态光电导 无光照时 --- 半导体材料在常温下具有一定的热激发载流子浓度 暗态下样品的电导 垂直于电极方向有均匀光照入射到样品表面，且入射光通量恒定 样品中流出的光电流称为稳态光电流 暗态 --- 暗电导率 G---样品电导；d---暗态；? --- 半导体材料的电导率；S---样品横截面的面积；L--- 样品长度 给样品外加电压U，通过的电流为暗电流 亮态下，样品在外加电压下流出的电流 --- 亮电流 亮电导Gl与暗电导Gd之差 --- 光电导 有光照时，样品吸收光子能量产生光生载流子 ---- 材料处于亮态，亮电导 I --- 电流；l--- 亮态； ?? --- 光致电导率的变化量 亮电流与暗电流之差 --- 光电流 光电导效应 --- 非平衡载流子效应 ② 光电导弛豫过程 脉冲光照射光电导体 --- 上升时间常数?r、下降时间常数?f（弛豫过程长短） 弛豫现象 --- 光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流需要经过一定的时间（光照停止后光电流也是逐渐消失的） 弛豫现象反映了光电导体对光强变化的反应快慢程度 --- 惰性 ?r--- 光生载流子浓度从零增长到稳态值的63%时所需的时间 ?f--- 从停光前的稳态值衰减到稳态值的37%所需的时间 --- 表征光电导器件特性的一个重要参数 ③ 光电导增益 长度为L的光电导体在两端加上电压U后，由光照产生的载流子在电场作用下形成的外电流与光生载流子在内部形成的光电流之比. M --- 光电导增益；? --- 器件的时间响应； tdr--- 载流子在两极间的渡越时间 梳状电极 --- 光敏面做成蛇形（较大的受光表面，减小电极之间的距离 --- 减小载流子的有效极间渡越时间，提高灵敏度） 增益、带宽矛盾--- 光电效应普遍性 杂质半导体中的施主/受主吸收光子能量后电离，产生自由电子和空穴，从而增加材料电导率的现象 杂质光电导器件中施主和受主的电离能比同材料的本征半导体的禁带宽度要小很多--- 响应波长比本征光电导材料的工作波长长很多 2）杂质光电导 EI --- 杂质半导体的电离能 杂质电离能很小 --- 工作在低温状态（避免热激发的载流子产生的噪声超过光激发的信号载流子） 杂质光电导器件的截止波长 --- 将光电器件放在装有制冷剂的杜瓦瓶里 光电导材料 --- 硅、锗掺杂和硅、锗合金掺杂等半导体材料 以及一些有机物 电阻率的变化表现为其间电阻值的变化 --- 光敏电阻 利用半导体光电导效应制成的器件 --- 光电导器件 1）常用光敏电阻材料 2. 光敏电阻及其特性 2）光敏