电子科技大学集成电路CAD作业.docVIP

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2018-02-20 发布于四川
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电子科技大学集成电路CAD作业.doc

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第一次上机 1.1 ：NMOS的输出特性曲线测试：文本输入： ** Analysis setup ** V1 1 0 1V V2 2 0 1V M1 2 1 0 MbreakND-X .model MbreakND-X NMOS （VTO=-4.0） .DC LIN V_V2 0 5 0.1 + LIN V_V1 0 2 0.5 .probe .END NMOS的输出特性曲线测试：测试结果： BJT的输出特性曲线测试文本输入： ******BJT I1 0 1 1M V1 2 0 1V Q1 2 1 0 QMOD .MODEL QMOD NPN (IS=9.913E-15 XTI=3 EG=1.11 +VAF=97 BF=197.8 NE=2.264 ISE=6.191E-12 +IKF=.7322 XTB=1.5 BR=3.369 NC=2 ISC=0 IKR=0 +RC=1 CJC=14.57E-12 VJC=.75 MJC=.3333 FC=.5 +CJE=20.16E-12 VJE=.75 MJE=.3333 TR=29.17E-9 +TF=405.7E-12 ITF=.4 VTF=10 XTF=2) .DC V1 0 5 0.1 I1 0 2M 0.5M .PROBE .END BJT的图形输入和输出特性曲线如图所示： 1.2：振荡器的图形输入输出振荡波形：第二次上机作业 1、. 二极管D1N4002测试输入图形为：改变二极管模型参数反向饱和电流Is=1E-5,1E-7,1E-9可得波形如下：由图知：二极管模型参数反向饱和电流Is越大，则输出特性曲线越向左移动，即开启电压越小。温度对二极管特性曲线的影响由图知：当温度越高，则二极管两端电流更高；改变发射系数N=0.1、0.5、1、1.5,求伏安特性曲线如下：由图知：发射系数越大，二极管的正向导通电压越大。 2：不加电容时的电路图为下页图：结果如下图： 1、D1开路可得结果如下： 2、D1短路结果如下： D1极性接反结果如下： D1、D2极性都接反结果如下滤波电容为20u时的结果为：滤波电容为50u时的结果为： 3、直流传输特性测试图：测试结果如下：由上图可知：同向输入端加合适的补偿电压，使运放静态输出电压近似为零,求该条件下电路的静态工作点Vb.=290mV 交流小信号分析图：分析结果图为：