湖北武汉第二中学2012015学年高二物理上学期期中试题.DOC

湖北省武汉市第二中学2014-2015学年高二上学期期中考试物理试题 一、本题共12小题；每小题4分，共48分．在每小题给出的四个选项中，有的小题只有一个选项正确，有的小题有多个选项正确．全部选对的得4分，选不全的得2分，有 选错或不答的得0分． ．物理学的发展极大地了人类对的认识下列正确的是 A．安培为解释磁现象提出了“物质微粒内部存在着一种环形电流—分子电流”的观点 ．楞次在分析了许多实验事实后提出，感应电流应具有这样的方向，即感应电流的磁场总要阻碍引起感应电流的磁通量的变化D．．3．通电矩形导线框abcd与无限长通电直导线MN在同一平面内，电流方向如图所示，ab边与MN平行。关于MN的磁场对线框的作用，下列叙述中正确的是(　　　) A．线框有两条边所受的安培力方向相同 B．线框有两条边所受的安培力大小相同 C．线框所受安培力的合力朝左 D．线框所受安培力的合力朝右 4．回旋加速器是获得高能带电粒子的装置，其核心部分是分别与高频交流电源的两极相连接的两个D形金属盒，两盒间的狭缝中形成周期性变化的电场，使粒子在通过狭缝时都能得到加速，两D形金属盒处于垂直于盒底的匀强磁场中，如图所示．若要增大带电粒子从D形盒中射出时的动能，可采用的方法是A．增大电场的加速电压B．增大磁场的磁感应强度 C．增大狭缝的距离D．增大D形金属盒的半径 ．如图所示是质谱仪的工作原理示意图。带电粒子被加速电场加速后，进入速度选择器。速度选择器内相互正交的匀强磁场的磁感应强度和匀强电场的电场强度分别为B和E，平板S上有可让粒子通过的狭缝P和记录粒子位置的胶片A1A2。平板S下方有磁感应强度为B0的匀强磁场。下列表述中正确的是(　　) A．质谱仪是分析同位素的重要工具 B．速度选择器中的磁场方向垂直纸面向C．能通过狭缝P的带电粒子的速率等于D．粒子打在胶片上的位置越靠近狭缝P，粒子的比荷越小 ．φM和φN，则下列判断中正确的是（ 　 ） A．如果是P型半导体，有φMφN B．如果是N型半导体，有φMφN C．如果是P型半导体，有φMφN D．如果是金属导体，有φMφN 7．A．右边磁铁S极断开时，有感应电流从至通过流计B．右边磁铁S极断开时，有感应电流从至通过流计C．左边磁铁N极断开时，有感应电流从a至b通过流计D．左边磁铁N极断开时，有感应电流从b至a通过流计 A．．C．选用“×100”倍率的电阻档测量，发现多用表指针偏转过大 “×1k” 档．9．已知通电直导线在某点产生的磁场与通过直导线的电流大小成正比，奥斯特在演示电流的磁效应实验时，具体做法是：在地磁场作用下处于水平静止的小磁针上方，平行于小磁针水平放置一长直导线，当该导线中通有电流时，小磁针将发生偏转，若导线通以电流时，小磁针偏转了30°角，若导线通以电流时，小磁针偏转了45°与的关系为（ ） A． B． C． D． 10．如图所示，在MN、PQ．．．．．长为 L 的正方形线框abcd电阻为 R ，以速度V匀速进入边长为L的正方形区域，该区域中磁场方向如图所示，磁感应强度大小均为 B ，则线框进入过程中（ ）A．线框中产生的感应电流方向不变 B．线框刚进入磁场瞬间ab两点间电势差 C．线框进入L/2时所受安培力为 D．线框进入L/2过程中电量为12．如图所示是圆柱形匀强磁场区域的横截面(纸面)，磁感应强度大小为B，方向垂直于纸面向里。一质量为m电荷量为q(q0)的粒子从M点沿与直径MN成450角的方向以速度v射入磁场区域。已知粒子射出磁场时与射入磁场时运动方向间的夹角为1350，P是圆周上点。 不计粒子重力，则 A．粒子做圆周运动的轨道半径为 B．磁场区域的半径为 C．粒子在磁场中运动的时间为 D．若粒子以同样的速度从P点入射，则从磁场射出的位置必定与从M点入射时从磁场射出的位置相同二、实验题 ,本题共2小题，共1分，把答案填在题中的横线上或按题目的要求作答.三、计算题．本大题有个小题，共分．解答应有必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤，只写出最后答案的不能得分．有数值计算的，答案中必须写出数值和单位．（分）如图所示，质量为m的直导体杆ab水平放置在倾角为θ、间距为l的光滑平行导轨上，导体杆中通有图示方向的电流，电流强度为I，现在空间加上匀强磁场使导体杆ab静止在导轨上．问： （1）若磁场方向竖直向上，求磁感应强度的大小； （2）若要求磁感应强度最小，求磁感应强度的大小和方向 16. （分）m,带电量为+q的小球静止在斜面顶端，这时小球对斜面的正压力恰好为零，若电场突然反向且电场强度增大为原来的两倍，求： （1）小球能在斜面上滑行